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ナノスピントロニクス研究センター

研究センターの概要

研究センターの基本概念

電子の電荷のみを用いた従来の半導体エレクトロニクスに対して、電子の持つ”スピン”の自由度も活用した新しいエレクトロニクス技術が「スピントロニクス」です。

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 本センターでは、この不揮発性を最大限に引き出すため、固体中のスピン制御技術を極める学術的基礎研究からデバイス応用研究まで、スピントロニクスの技術開発を企業や大学と連携し推進します。

具体的には、スピントロニクスとナノテクノロジーを融合した「ナノスピントロニクス技術」により、大容量・高速かつ高信頼性を有する究極の不揮発性メモリを開発し、待機電力ゼロの究極のグリーン IT 技術である「ノーマリー・オフ・コンピュータ」の実現を目指します。

また、半導体中でのスピン注入、スピン操作、スピン検出の「半導体スピントロニクス技術」を開発し、「スピン・トランジスタ」を開発します。さらに、半導体中のスピンと光の相互作用に基づく「光スピントロニクス技術」を活用し、光通信ネットワークの高度化のための新デバイス「スピン光メモリ」の研究開発を行います。

 

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研究センターのミッション

ミッション1 グリーン・イノベーションの実現

 ナノスピントロニクス技術を中核にして、大容量・高速・高信頼性の不揮発性メモリ「スピンRAM」を開発し、コンピュータの主要メモリを不揮発化することによるグリーン・イノべーションの実現を目指す。
 (産総研3期中期計画のI-2-(3)-@「デバイス・回路の省エネ」)

 

ミッション2 半導体スケーリング限界の突破

 スピンRAMによるメモリの不揮発化だけでなく、ナノサイズでも安定に動作するメモリセルを開発することにより、半導体メモリのスケーリング限界を打破することも目標とする。
(産総研3期中期計画のV-1-(1)-@「革新的電子デバイス」)

 

ミッション3 革新的電子デバイスの開発

 光メモリや不揮発性スイッチング素子、スピン・トランジスタ、高周波デバイスなど、将来的にITに革新をもたらすポテンシャルを有する新デバイスの創出を目指す。
 (産総研3期中期計画のV-1-(1)-@「革新的電子デバイス」)

 

 

産学官連携のハブとしての機能するナノスピントロニクス研究センター

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共通設備

薄膜材料開発から ナノ加工、素子評価まで一貫して行える設備

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