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装置詳細

極端紫外光光電子分光装置(EUPS)

〜最表面原子層の電子状態を見る〜

特徴

 1.レーザー生成プラズマを用いて生成したパルスEUV光を試料を照射した際に
   放出される光電子のエネルギーを飛行時間法で計測することで、試料最表面
   (0.5 nm程度)の電子状態を分析する装置。

 2.材料の真空準位、金属性を評価。ごく微量の表面付着分子(一分子レベル)、
   極表面での元素拡散、表面電子状態密度の形状(曲がり具合)を評価。

   (競合:産総研のみ)

仕様

 ・励起光波長:4.86 nm

 ・励起光ビーム径:50 μm 〜100 μm

 ・光電子エネルギー分解能:〜0.3 eV

 ・深さ感度(光電子の脱出深さ):
  0.5 nm(実測)

 ・光子フラックス(試料上時間
  平均):SR同等

 ・瞬時キャリア密度:1017/cm3

 ・EUV光子エネルギー:255.17 eV

 ・EUVパルス幅:3 nsec

 

 

 

  備考:原理、測定例をEUPSのHP(http://staff.aist.go.jp/t-tomie/EUPS)で紹介

支援例

 光励起された試料から、光子エネルギーで決まる運動エネルギーの「光電子」と、光電子の非弾性散乱で
 できる大量の「二次電子」が試料外に出る。
 EUPSの深さ分解能は0.5 nmで、表面に超高感度のため、一分子層の有機物汚染も検出可能。

 

 

 

 

測定例:MgOの価電子帯スペクトル


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