最終更新 平成29年1月27日

 研究会の紹介

入会申込の書式 

研究会情報

 

会期

案内・申込

場所

第7回研究会 H29年2月24日 弘済会館 (東京都千代田区)
第6回研究会 H21年5月21日 産総研 臨海副都心センター
第5回研究会 H19年5月14日 研究会次第 岩谷産業 東京本社
第4回研究会

H18年9月22日

研究会次第 明電舎 大崎会館
第3回研究会 H18年4月13日 研究会次第 機械振興会館

第2回研究会

H17年12月14日

研究会次第

岩谷産業 東京本社

第1回研究会

H17年8月23日

研究会次第

明電舎 大崎会館

 問い合わせ先

産総研コンソーシアム 「高濃度オゾン研究会」 事務局
e-mail:hc-ozone-ml@aist.go.jp (@を半角にして送信下さい)

〒305-8568 茨城県つくば市梅園1−1−1 つくば中央第2
産業技術総合研究所 計量標準総合センター 分析計測標準研究部門 

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「高濃度オゾン研究会」のご案内

オゾンは反応活性が非常に高い酸化剤として古くからよく知られており、その酸化力を活用した「洗浄」、「水質浄化」、「殺菌・消臭」、「漂白」などへの産業応用も既に広く進んでいます。オゾンの最大の利点は、最終的には環境に優しい酸素分子として安定化させることができることにあります。このため、環境と調和する持続可能な技術開発の観点から、その利用は今後ますます広がるものと思われます。

新しい応用展開の可能性は、利用対象とするオゾン(オゾン含有ガス)の濃度を高める事から生まれるものと期待できます。これまではオゾン濃度が低い(高くてもオゾン濃度10%程度以下の)酸素・オゾンの混合ガスを用いてオゾンの利用が進められてきました。これは高い濃度のオゾンを簡単に発生できる手法がなかった事が本質的な理由です。しかし、最近の技術開発により、100%に近いオゾンが安全にハンドリングできるようになってきました。

100%のオゾン雰囲気では、従来のような低濃度の酸素・オゾンの混合雰囲気と異なって、純粋にオゾンだけの反応過程を選択・抽出することが可能になります。その結果、例えばシリコン半導体の酸化において従来に比べて500℃近くも低い温度で高品質な酸化膜を形成できたり、金属表面の不働態化(パッシベーション)処理において電解研磨に比べてはるかに高い腐食性ガス耐性を持つ表面が形成できたりするなど、様々な優れた効果が確認されはじめています。

通常のオゾン・酸素の混合ガスに比べて、高い濃度のオゾンガスでは、反応の何が/どこが異なるのか。その特徴を活かす新しいプロセス技術とはどのようなものか。またそのプロセス技術を活用できる新たな産業技術応用分野は何で、そのためには現状何が技術的に不足しているのか。一方、利用に際しての安全性の観点で、更に検討すべき事は何か。等々、現在、様々な疑問、興味が生まれ始めています。

「高濃度オゾン研究会」は、開発サイド、応用サイドの両面から上記の様な疑問・興味を共有・交換し、up-to-dateな知識として整理・体系化して、新たな産業技術の展開を図ることを目的として立ち上げました。当面、年数回の会合(勉強会)を開催し、関連分野の研究・技術者の方々に話題提供をお願いして、議論を深めるきっかけとしたいと考えています。また、その成果を資料集の形でとりまとめ、出版することも想定しています。更に、このような議論を通して産業技術の観点から推進すべき開発課題が抽出でき、様々なプロジェクトへの展開につながることも期待しています。

どうか奮ってのご参加をご案内申し上げます。

 

発起人(50音順)

岩谷産業株式会社
産業技術総合研究所(計量標準総合センター 分析計測標準研究部門)
株式会社 明電舎

 

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 第7回研究会 (学振153委員会プラズマ材料科学スクール (第U部) 最新のオゾン技術と将来展望)

  • 主 催 : 日本学術振興会 プラズマ材料科学第153委員会
  • 共 催 : 高濃度オゾン研究会     
  • 協 賛 : 応用物理学会プラズマエレクトロニクス分科会, プラズマ・核融合学会
  • 日 時 : 2017年2月24日(金)10:30〜18:20 (交流会 18:20〜)
  • 会 場 : 弘済会館 (〒102-0083 東京都千代田区麹町5-1) 交通案内:http://www.kousaikai.or.jp/hall/       
  • 参加費 : 高濃度オゾン研究会会員:無料 (交流会費:1,000円)         
  • 参加費 : 一般:25,000円(交流会費:5,000円)/ 学生:参加費7,000 円(交流会費3,000 円)
     
  • 参加申込: 2017年2月10日(金)まで、高濃度オゾン研究会会員は研究会事務局宛にメールで、一般・学生の方は学振153委員会のこちらのホームページから直接お申し込みください。皆様のご参加をお待ちしております。 
  •    

趣旨

 今回の研究会では、日本学術振興会プラズマ材料科学第153委員会のプラズマ材料科学スクールの場をお借りして、高濃度オゾン研究会会員も含めたオゾンの研究開発に従事する研究者・技術者が,大気圧プラズマとの関わりが深いオゾンをはじめとする種々の活性酸素種の生成ならびにドライ&ウェット利用についての最新技術を紹介し、 産業界の皆様方とともに当該技術の将来を展望する。

研究会(スクール第U部)プログラム

    
題  目 講演者 開始
時間
終了
時間
受付 10:00
(特別講演)「大気圧プラズマの現状と将来展望(仮題)」 節原 裕一 大阪大学・教授 10:30 12:00
昼食 (60分) 12:00 13:00
挨拶  堀 勝 学振153委員会・委員長 13:00 13:05
趣旨説明 野崎 智洋 学振153委員会・幹事 13:05 13:15
(基調講演)「オゾン技術の現状と展望」 一村 信吾 名古屋大学・イノベーション戦略室室長 13:15 13:55
(招待講演)「工業用オゾン合成の実際(浄水場,パルプ,半導体応用)」 和田 昇 三菱電機先端技術総合研究所・グループマネージャー 13:55 14:35
(招待講演)「超高純度オゾンの発生とその応用」
三浦 敏徳
明電舎・電子機器事業部・技師 14:35 15:15
(招待講演)「オゾンの輸送、貯蔵および高濃度化」
小池 国彦
岩谷産業株式会社・上級理事 15:15 15:55
休憩・交流 (20分) 15:55 16:15
(招待講演)「プラズマライフサイエンス:医療・農業応用」
堀 勝
名古屋大学・教授  16:15 16:55
(招待講演)「マイクロバブルオゾン水による有機物分解」
堀邊 英夫
大阪市大・教授 16:55 17:35
(招待講演)「オゾンファインバブルによる殺菌」
筧 伸雄
ヤマト科学株式会社・取締役常務執行役員 17:35 18:15
まとめ 18:15 18:20
交流会 (※会費制) 18:20


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 第6回研究会

  • 主 催 : 高濃度オゾン研究会
  • 日 時 : 2009年5月21日(木)13:30〜17:00 (懇親会17:15〜19:00)
  • 会 場 : 産総研臨海副都心センター(東京都江東区青海) http://unit.aist.go.jp/waterfront/index.html
           別館11階会議室1(11205〜6室)
  • 参加費 : 無料 (懇親会費:1,000円)      

趣旨

今回の研究会では、酸化を含む種々の材料プロセス技術の研究開発を先導されている諸先生方にそれぞれのご研究を紹介いただくと同時に、これらのご講演を踏まえた議論を通じて高濃度オゾンを用いたプロセスの展開を検討する。

研究会プログラム

題  目 講演者 開始
時間
終了
時間
開会の辞 13:30 13:35
「励起状酸化種の生成とその酸化膜作製プロセスへの応用」 寺本 章伸 東北大学未来科学技術共同研究センター 13:35 14:15
「プラズマプロセスを用いた表面処理との対比から見た高濃度オゾンへの期待」 吉田 豊信 東京大学大学院工学系研究科マテリアル工学専攻 14:15 14:55
「生体適合材料の表面処理への高濃度オゾンの応用の可能性」 田中 順三 東京工業大学大学院理工学研究科材料工学専攻 14:55 15:35
休憩(20分) 15:35 15:55
「室温圧力スイング法(VPSA)を用いた新しいオゾン濃縮技術」
牧平 尚久
岩谷産業 15:55 16:25
「紫外光分解反応による減圧高濃度オゾンガス処理の検討」
亀田 直人
明電舎 16:25 16:55
閉会の辞 16:55 17:00
懇親会 (※会費\1,000) 17:15 19:00


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 第5回研究会

  • 主 催 : 高濃度オゾン研究会
  • 日 時 : 2007年5月14日(月)13:30〜16:40(研究会) 17:00〜19:30(懇親会)
  • 会 場 : 岩谷産業(株)東京本社(東京都港区西新橋3丁目21-8)(JR新橋より徒歩10分)地図はこちら

研究会プログラム

題  目 講演者 開始
時間
終了
時間
開会の辞 13:30 13:35
高濃度オゾン発生のブレークスルー技術について 葛本昌樹 三菱電機(株)先端技術総合研究所 13:35 14:15
UV励起オゾンによるシリコン酸化膜作製 西口哲也 明電舎 14:25 14:50
休憩(20分)    
オゾンを用いた酸化シリコン絶縁膜の低温塗布作製技術 小笹健仁 産業技術総合研究所 光技術研究部門 15:20 15:50
高濃度オゾンガスによるシリコン酸化膜の形成と評価 濱村浩孝 日立製作所 中央研究所 16:00 16:30
懇親会 会費:1000円 17:00 19:30


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 第4回研究会

  • 主 催 : 高濃度オゾン研究会
  • 日 時 : 2006年9月22日(金)
  • 会 場 : 株式会社明電舎 大崎会館

研究会プログラム

題  目 講演者 開始
時間
終了
時間
開会の辞 13:30 13:35
オゾンを用いたレジスト除去 堀邊 英夫 国立高知工業高等専門学校 13:35 14:25
気体オゾンによる金属の高酸化相形成の可否と応用例 鈴木 亮輔 北海道大学工学研究科
材料科学専攻エコプロセス工学研究室
14:25 15:05
休憩 15:05 15:25
高濃度オゾン利用技術 野崎 稔三 積水化学工業株式会社
R&D・テクノロジーセンター
15:25 16:00
高純度オゾン(≒100%)の発生装置とその応用 野寄 剛示 明電舎 16:00 16:25
高濃度オゾン発生装置の開発 泉 浩一 岩谷産業 16:25 16:50
懇親会 会費:1000円 17:00  

 

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 第3回研究会

  • 主催 : 高濃度オゾン研究会
  • 協賛 : 日本真空協会
  • 日 時 : 2006年4月13日(木)13:30〜18:00
  • 会 場 : 機械振興会館 地下3階研修1室(東京都港区芝公園3-5-8 )

研究会プログラム

開会の辞 一村 信吾(産業技術総合研究所)
「プロセス用反応炉におけるガスフローの考え方とオゾンガス」(仮題) 羽深 等(横浜国立大学)
「SiCゲート酸化膜形成におけるオゾンガスの利用」 小杉亮治
(産業技術総合研究所 パワーエレクトロニクスセンター)
「高品質シリコン絶縁膜作製へのピュアオゾンガスの利用」 亀田 直人(株式会社明電舎)
休憩
「ホットオゾン水によるレジスト剥離」 前田 直忠
(株式会社ササクラ 東京支社 水処理営業室)
「高濃度オゾン水の生成と応用」 野田 清治
(三菱電機株式会社 先端技術総合研究所環境システム技術部)
懇親会 会場:機械振興会館 地下3階B3-9室

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 第2回研究会

  • 日 時 : 2005年12月14日(水)13:30〜17:00
  • 会 場 : 岩谷産業鞄結椁{社(東京都港区西新橋3丁目21-8) *最寄り駅:JR新橋

研究会プログラム

開会の辞  

「真空用材料と表面処理 」 

齊藤芳男(高エネルギー加速器研究機構)

「ガスや粉体の爆発と特性」

荷福 正治
(産業技術総合研究所・爆発安全研究センター)

休憩

「ステンレス鋼の表面改質と洗浄技術へのオゾンガスの利用」

福崎智司
(岡山県工業技術センター・食品工学研究室)

「紫外光励起オゾンを用いたシリコン酸化プロセス」

戸坂亜希
(産業技術総合研究所・計測フロンティア研究部門)

懇親会  

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 第1回研究会

  • 日時 : 2005年8月23日(火)13:30〜17:00
  • 場所 : 株式会社明電舎 大崎会館

研究会プログラム

趣旨説明 一村信吾(産業技術総合研究所)

「医療用デバイスの開発とオゾン処理の期待」 

古薗 勉(国立循環器病センター研究所)

「ナノメートルの厚さスケール作製におけるオゾンの利用」

黒河 明(産業技術総合研究所)

「高濃度オゾンを用いた金属表面処理技術」

小池国彦(岩谷産業)

「ピュアオゾンジェネレータを用いたSi酸化膜の低温形成」

野寄 剛示(明電舎)
懇親会  
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岩谷産業株式会社 産業技術総合研究所 分析計測標準研究部門 株式会社 明電舎 産業技術総合研究所