TAKASHIMA Hiroshi

高島 浩 Hiroshi Takashima

上級主任研究員

博士
専門:酸化物エレクトロニクス、薄膜、界面、デバイス
ResearcherID :I-4967-2016

E-mail:

h-takashima*aist.go.jp(*→@)

  • 研究内容紹介

    デバイスの集積化・高度化を薄膜技術とナノ粒子技術の両面から実現する基盤技術の開発を行っています。
    薄膜は気相成長であるパルスレーザー堆積法(PLD)、スパッタリング法と、溶液法としてスピンコード法とスクリーン印刷法を用いています。これらの手法を用いて、誘電体、超伝導体、半導体等の特異な材料群を新規なデバイスにして新しい機能を創出する研究開発を進めています。近年は、誘導体と半導体のハイブリッドにより、全ペロブスカイト型酸化物で新規な発光デバイスの開発に成功しました。