研究目標

高度な結晶成長技術、微細構造設計・作製技術を駆使して、IoT時代における低環境負荷社会に貢献しうる化合物・有機半導体先端光デバイスの開発を行います。現在、主に高効率・高指向性LED、黄色半導体レーザー、超小型テラヘルツ光源、有機半導体レーザー、サブバンド間遷移素子などの開発を進めています。

(写真右:BeZnCdSe量子井戸レーザーの室温連続発振の様子)

メンバー(常勤職員)一覧

  • 高田徳幸(Takada Noriyuki):研究グループ長
  • 佐々木史雄(Sasaki Fumio)
  • 秋本良一(Akimoto Ryoichi)
  • 古屋克己(Furuya Katsumi)
  • 牛頭信一郎(Gozu Shinichirou)
  • 永瀬成範(Nagase Masanori)
  • 井手利英(Ide Toshihide)
  • 亀井 利浩(Kamei Toshihiro)
  • 鍛冶 良作Kaji Ryosaku
  • 王学論(Xuelun Wang)
    (兼務、主務: エネルギー・環境領域 エネルギー・環境領域研究戦略部 窒化物半導体先進デバイスオープンイノベーションラボラトリ GaN光デバイスチーム ラボチーム長
  • 熊谷直人(Kumagai Naoto)
    (兼務、主務:エネルギー・環境領域 研究戦略部 窒化物半導体先進デバイスオープンイノベーションラボラトリ GaN光デバイスチーム)     
国立研究開発法人 産業技術総合研究所 電子光基礎技術研究部門     
光半導体デバイスグループ

〒305-8565 茨城県つくば市東1丁目1番地1号 産総研つくば中央第2事業所
電話:029-861-6393 交通のご案内

→Contact

【研究グループ長】
 高田徳幸(Takada Noriyuki)
【メールアドレス】
 n-takada●aist.go.jp

※送信時は@へご変更下さい。

最新情報

2020年4月1日 
光半導体デバイスグループが所属しております産業総合技術研究所 電子光技術研究部門が、電子光基礎技術研究部門と名称を改めました。