ナノCMOS集積グループ / Nano CMOS Integration Group

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 これまで、半導体の高性能化は微細化によって進められてきましたが、近年更なる微細化が困難になってきています。私たちは、産総研発 立体チャネルデバイス技術を基に、その障壁を打開し得る新規なシリコンナノデバイスの研究開発を進めています。22nm世代より導入されているFinFETデバイス・プロセス技術、通常のCMOSの限界を超える極めて低消費電力な新原理トンネルトランジスタの開発、新しい活用ニーズ・新しいデバイスに対応するシステム開発による新たな進化軸への展開を行っています。
CMOS研究の展開

主な研究テーマと成果

1. 新原理トンネルトランジスタの高性能化に関する研究
1 「新原理のトランジスタを用いた集積回路の動作を実証」、。2016/12/5 産総研プレスリリース
2. ナノCMOSデバイス回路技術に関する研究
1 「機械学習での訓練処理の時間を最大1/5に短縮する計算方式と回路」、2018/5/29産総研プレスリリース
2 「半導体チップの偽造を防ぐ素子や回路を開発」、2015/12/07産総研プレスリリース
3. シリコン量子コンピュータに向けた基盤技術研究
1 「シリコン量子ビットの高温動作に成功」、2019/1/25産総研プレスリリース