ナノエレクトロニクス研究部門ナノエレクトロニクス研究部門

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研究グループ紹介

ナノエレクトロニクス研究部門では、4つの技術分野(半導体集積、超伝導体集積、変量多品種製造、新材料・新デバイス・ナノ計測)について、10のグループが研究開発を進めています。

半導体集積

ナノCMOS集積グループ

グループ長・森田行則
グループ長
森田 行則
シリコンを用いたCMOSデバイスのナノ構造制御と回路設計高度化により、CMOS集積回路の低消費電力化・高性能化につながる技術を開発する。

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新材料デバイス集積グループ

グループ長・遠藤 和彦の顔写真
グループ長
遠藤 和彦
Ge/III-Vを用いたMOSFETやそれらの3D集積化、スピンFET等の新材料・新動作原理デバイスにより、シリコンCMOSの限界を超える低消費電力・高機能デバイス集積化技術を開発する。

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3D集積システムグループ

グループ長・菊地克弥
グループ長
菊地 克弥
集積回路の微細化に頼らないで小型化・省エネ化・高速化・多様化を実現するために、情報処理LSIチップや入出力LSIチップを3次元に集積した3次元集積LSIシステムを具現化する高密度電子回路集積技術を開発する。

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エレクトロインフォマティクスグループ

グループ長・川畑史郎
グループ長
川畑 史郎
量子物理・エレクトロニクス・情報処理の垂直統合的な分野融合による新技術を創出するために、量子コンピュータ・量子アニーリングマシン・非ノイマン型コンピュータ・ハードウェアセキュリティの基盤技術を開発する。

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多品種変量製造

ミニマルシステムグループ

グループ長・原史朗
グループ長
原 史朗
巨大設備投資、資源とエネルギーの枯渇、生産者論理大量生産等の21世紀型課題を解決する変量多品種デバイス製造のためのミニマルファブ装置群を開発・高度化し普及させる。

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カスタムデバイスグループ

グループ長・長尾昌善
グループ長
長尾 昌善
ニッチ市場のカスタムメード高付加価値デバイスを、ミニマルファブ等を利用して実現する。

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超伝導体集積

超伝導計測信号処理グループ

  
グループ長・山森弘毅
グループ長
山森 弘毅
半導体や磁性体等では実現不可能な高精度計測・低雑音計測を超伝導デバイスにより実現するため、SQUID等の検出器アレイの信号読出技術、電圧標準技術、および微細接合集積回路技術を開発する。

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超伝導分光エレクトロニクスグループ

グループ長・浮辺雅宏
グループ長
浮辺 雅宏
ナノテクノロジー微細加工技術と超伝導理論の双方を活用し、従来技術の限界を超える分光性能を実現する超伝導トンネル接合や超伝導細線を利用したセンシング技術や量子計算技術を開発する。

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新材料・新デバイス・ナノ計測

エマージングデバイスグループ

グループ長・秋永広幸
グループ長
秋永 広幸
物質をナノ構造化することによって発現する新機能を合目的的に設計した新規デバイス機能の実証を目指す。

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システマティックマテリアルズデザイングループ

グループ長・宮田典幸
グループ長
宮田 典幸
低次元相転移、トポロジカル相転移等の新機能や、金属内包クラスタ等の原子・ナノスケールで制御された構造を有する材料の設計・開発・物性解明を、デバイス応用とナノスケール計測評価と一体的に実施する。


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NEC-産総研 量子活用テクノロジー連携研究室

グループ長・白根 昌之
グループ長
白根 昌之
NECの保有する先端量子関連研究に関して、産総研の持つ豊富な人材との連携の拡大・融合、インフラ(共用施設)の活用による高効率化を進め、基礎研究に留まらない、産業分野での量子活用のための研究開発のさらなる加速を図る。