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プレスリリース

ナノエレクトロニクス研究部門のプレスリリースをご覧いただけます。

コンテンツ(2011年から2015年まで)

発表・掲載日 2015年12月7日
タイトル 「半導体チップの偽造を防ぐ素子や回路を開発」
−「ICの指紋」を3倍以上の安定性で発生−
成果元 ナノCMOS集積グループ/エレクトロインフォマティクスグループ
発表・掲載日 2015年7月14日
タイトル 国立大学法人豊橋技術科学大学と産業技術総合研究所がミニマル製造技術を活用する「AIST-TUT先端センサ共同研究ラボラトリー」を設置
成果元 ミニマルシステムスグループ
発表・掲載日 2015年6月1日
タイトル 「ニホウ化マグネシウム超伝導体で生体高分子を検出」
−省エネ・小型の冷凍機で作動できる超伝導分子検出器−
成果元 超伝導分光エレクトロニクスグループ
発表・掲載日 2014年12月16日
タイトル 「超低電圧で動作するトンネルトランジスタの高性能化と長寿命を実証」
−大規模なセンサーネットワークへの応用に期待−
成果元 シリコンナノデバイスグループ
発表・掲載日 2014年12月16日
タイトル 「多結晶ゲルマニウムトランジスタの性能を大幅に向上」
−積層型3次元集積回路の実現に貢献−
成果元 新材料・機能インテグレーショングループ
発表・掲載日 2014年12月15日
タイトル 「ノイズを劇的に低減した立体型トランジスタを実現」
−アナログ集積回路の小型化と高性能化につながる技術−
成果元 シリコンナノデバイスグループ
発表・掲載日 2013年12月12日
タイトル 「多結晶ゲルマニウムでp、n両極性のトランジスタ動作に成功」
−低温積層CMOSによる3次元LSIの実現に大きく前進−
成果元 連携研究体グリーン・ナノエレクトロニクスセンター
発表・掲載日 2013年12月12日
タイトル 「カーボンナノチューブのインプラントによる新たな配線作製技術」
−LSI配線やシリコン貫通電極への応用に期待−
成果元 連携研究体グリーン・ナノエレクトロニクスセンター
発表・掲載日 2013年12月11日
タイトル 「20 nm幅の高性能なグラフェン微細配線を開発」
−LSI銅微細配線の代替に期待−
成果元 連携研究体グリーン・ナノエレクトロニクスセンター
発表・掲載日 2013年12月10日
タイトル 「InGaAsトランジスタの性能向上のための新構造を開発」
−集積回路の大幅な低消費電力化に期待−
成果元 連携研究体グリーン・ナノエレクトロニクスセンター
発表・掲載日 2013年12月9日
タイトル 「信頼性を大幅に向上させた低抵抗ソース・ドレイン形成技術」
−高温イオン注入技術により極薄フィン部分を低抵抗化−
成果元 シリコンナノデバイスグループ
発表・掲載日 2013年12月9日
タイトル 「ナノメートル・スケールトランジスタ動作中温度の正確な測定に成功」
−次世代半導体集積回路の長期間安定動作へ道−
成果元 つくばイノベーションアリーナ推進本部
発表・掲載日 2013年10月25日
タイトル 「狭い間隔で電子部品を実装する技術により高機能インターポーザーを開発」
−消費電力が極めて少ない電子回路に対応できる電源回路特性−
成果元 3D集積システムグループ
発表・掲載日 2012年9月25日
タイトル ポリイミド上のInGaAs層の断面電子顕微鏡像「ポリマー上でシリコンの性能を超えるトランジスタを作製」
−ポストシリコン材料のバックエンド集積化技術−
成果元 新材料・機能インテグレーショングループ
発表・掲載日 2012年9月25日
タイトル 試作したグラフェン素子におけるヘリウムイオン照射領域の概念図「グラフェンの新しい伝導制御技術を開発」
−ヘリウムイオン照射で室温動作スイッチングトランジスタを実現−
成果元 連携研究体グリーン・ナノエレクトロニクスセンター
発表・掲載日 2012年9月25日
タイトル 低電圧動作トンネルFET「トンネル電界効果トランジスタの素子動作モデルを開発」
−超低消費電力の大規模集積回路の設計に貢献−
成果元 連携研究体グリーン・ナノエレクトロニクスセンター
発表・掲載日 2012年9月11日
タイトル 開発したシミュレーション技術の概念図「微細シリコンデバイスのための3次元応力解析シミュレーター 」
−光学顕微鏡を使ってナノメートルレベルで解析 −
成果元 ナノスケール計測・プロセス技術研究グループ
発表・掲載日 2012年6月11日
タイトル 試作したGeナノワイヤトランジスタ断面の透過電子顕微鏡像「高性能ひずみゲルマニウムナノワイヤトランジスタを実現」
−世界最高レベルの高電流駆動力を実証−
成果元 連携研究体グリーン・ナノエレクトロニクスセンター
発表・掲載日 2011年12月8日
タイトル 立体型トランジスタのオン電流ばらつき要因図の一部「14 nm世代立体型トランジスタの特性ばらつきの主要因を解明」
−14 nm世代以降のSRAMをはじめとする集積回路の歩留まり向上に貢献−
成果元 シリコンナノデバイスグループ
発表・掲載日 2011年10月14日
タイトル 超格子相変化膜を備えたPCRAMデバイスのスイッチ動作図の一部「相変化固体メモリーから巨大磁気抵抗効果が出現」
−常温で2000%を越える磁気抵抗比−
成果元 ・ 連携研究体グリーン・ナノエレクトロニクスセンター
・ ナノエレクトロニクス研究部門
発表・掲載日 2011年09月28日
タイトル 開発した次世代半導体不揮発メモリーの写真の一部「高性能な64kb強誘電体NANDフラッシュメモリーアレイを作成」
−次世代半導体不揮発メモリーの実用化へ前進−
成果元 強誘電体メモリグループ
発表・掲載日 2011年09月27日
タイトル 開発した高品質ゲルマニウム単結晶薄膜の写真の一部「世界初の高品質ゲルマニウムプラットフォーム基板を実現」
−ゲルマニウム単結晶層のさまざまな基板への転写技術−
成果元 新材料・機能インテグレーショングループ
発表・掲載日 2011年09月26日
タイトル 3次元積層LSIシステムの概要図の一部「シリコンチップの放熱特性評価技術の開発」
−ホットスポットからの熱の拡散を測定する方法−
成果元 3D集積システムグループ
発表・掲載日 2011年06月12日
タイトル 今回開発した技術で作製した金属ソース・ドレイン接合極薄MOSトランジスタとその特性図の一部「トランジスタの接合位置をサブナノメートルの精度で制御」
−16 nm世代以降のMOSトランジスタの新たな接合技術として期待−
成果元 シリコンナノデバイスグループ
発表・掲載日 2011年06月12日
タイトル III-V-OI-on-Ge基板の写真「世界初の次世代高性能III-V/Ge CMOSトランジスタの実現」
−従来のシリコントランジスタの性能向上限界200%を突破−
発表・掲載日 2011年04月01日
タイトル 「平成23年度 研究推進組織の新設と再編について」
「ナノエレクトロニクス研究部門 」を再編強化により設立