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受賞

ナノエレクトロニクス研究部門の受賞歴をご覧いただけます。
  
受賞   2018年11月20日、安藤淳総括研究主幹が、平成30年度 日本表面真空学会(真空部門)技術賞を受賞しました。
受賞論文    吸引プラズマエッチング法を用いたSiO2ダイアフラム構造作製技術の開発
概要   受賞者:狩野諒1, 3,菅洋志1,新堀俊一郎2,高橋賢2,久保利隆3,安藤淳3,清水哲夫3,宮脇淳3
     1:千葉工業大学,2:株式会社三友製作所,3:産総研
 掲載号・頁:「J. Vac. Soc. Jpn.」 Vol.60-4  148-152  他

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受賞   2018年11月14日、クンプアン ソマワン主任研究員が、第66回 電気科学技術奨励賞を受賞しました。
タイトル    超小型IoT半導体開発・生産システム・ミニマルファブの実用化
概要

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受賞   2018年10月1日、右田真司上級主任研究員が、第232回 ECS Meeting (National Harbor, MD, fall 2017)で開催された“Semiconductors, Dielectrics, and Metals for Nanoelectronics 15: In Memory of Samares Kar” シンポジウムで行った講演について best paper awardを受賞し、今年開催されたAiMES2018において表彰されました。
タイトル    Relationship between Ferroelectricity and Electrical Breakdown in Hf-Zr-O Thin Films
概要

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受賞   2018年9月10日、村上勝久主任研究員がエレクトロニクス・製造領域 若手発表会 領域長賞を受賞しました。
タイトル    絶縁基板上へのグラフェン直接合成技術を用いた低電圧・大気圧で動作可能な超高効率グラフェン平面電子源の開発
概要

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受賞   2018年4月16日、前澤正明主任研究員が未踏科学技術協会第22回超伝導科学技術賞を受賞し、タワーホール船堀にて授賞式が行われました。
タイトル    超伝導回路によるボルツマン定数の絶対測定と国際単位系改定への貢献
概要   受賞者 : 前澤正明、浦野千春、山澤一彰、金子晋久(浦野さん、山澤さん、金子さんは産総研・物理計測標準研究部門所属)

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受賞   2018年3月22日、前澤正明主任研究員が2017年度エレクトロニクスソサイエティ活動功労表彰を受けました。
タイトル    アドホック幹事として100年コンテンツワーキンググループの活動に貢献
概要   受賞者 : 前澤正明

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受賞   2018年4月19日、猪股邦宏主任研究員が日本学術振興会超伝導エレクトロニクス第146委員会賞を受賞し、学士会館本館にて授賞式が行われました。
タイトル    超伝導エレクトロニクス
概要   受賞者 : 猪股邦宏

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  第146委員会賞は、超伝導エレクトロニクス分野の研究・開発において貢献し、また顕著な業績をあげた者に対して授与されます。
受賞   2018年4月16日、猪股邦宏主任研究員が未踏科学技術協会第22回超伝導科学技術賞を受賞し、タワーホール船堀にて授賞式が行われました。
タイトル    マイクロ波単一光子検出器の提案と実証
概要   受賞者 : 猪股邦宏、LIN Zhirong (理化学研究所)、山本剛(日本電気株式会社)、越野和樹(東京医科歯科大学)、中村泰信 (東京大学/理化学研究所)
 

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  本受賞は、猪股主任研究員が理化学研究所在籍時に共同研究者らと取り組んだ研究の成果に対するものです。
受賞   2017年11月16日-17日に開催された第29回 Symposium on Phase Change Oriented Scienceにおいて、 ミトロファノフ・キリル研究員がPCOS 2017 Best Paper Awardを受賞しました。
タイトル    Multi-level switching in GeTe/Sb2Te3 based iPCM
概要   受賞者 : Kirill V. Mitrofanov

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受賞   2017年9月3日-5日に開催されたEuropean Phase Change and Ovonic Symposium E/PCOS 2017において、 ミトロファノフ・キリル研究員がBest Poster Awardを受賞しました。
タイトル    Multi-level switching in GeTe/Sb2Te3 iPCM
概要   受賞者 : Kirill V. Mitrofanov

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受賞   2017年10月24日-27日に開催されたIEEE GCCE (Global Conference on Consumer Electronics) 2017において、片下主任研究員が2nd Prize, IEEE GCCE 2017 Excellent Demo! Awardを受賞しました。
タイトル    Prototype of USB Stick-sized PUF Module for Authentication and Key Generation
概要   受賞者 : 片下 敏宏

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受賞   2017年11月6日-8日に開催された電子情報通信学会「デザインガイア2017」において、大内主任研究員が最優秀ポスター賞を受賞しました。
タイトル    情報落ちを考慮した短ビット長フォーマットによるDCNNトレーニングの検討
概要   受賞者 : 大内 真一

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受賞   2017年9月5日-8日に開催された第78回応用物理学会秋期学術講演会において、長尾研究グループ長がポスターアワードを受賞しました。
タイトル   ミニマルファブを用いたエレクトロスプレースラスタの試作
概要   受賞者:長尾昌善、井上直樹(横浜国大 技術研修生)、鷹尾祥典(横浜国大)、辰巳憲之、村上勝久、クンプアンソマワン、原史朗
大分類分科名:13.半導体、講演番号:8p-PA2-11
応用物理学会のページ

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受賞   連携研究体グリーン・ナノエレクトロニクスセンター(GNC、2009-2013年度) の成果をまとめた論文が2016年度応用物理学会優秀論文賞を受賞しました。
タイトル    Operation of inverter and ring oscillator of ultrathin-body poly-Ge CMOS
概要   受賞者 : 鎌田善己(東芝),小池正浩(東芝),黒澤昌志(名古屋大学),太田裕之(産業技術総合研究所),中塚理(名古屋大学),財満鎭明(名古屋大学),手塚勉(東芝)
  掲載号 : Appl. Phys. Express 7 (2014) 121302

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受賞   2016年8月22日-25日に開催されたIEEE Nano2016(開催地・仙台)において、産総研クロスアポイントの成果である中性粒子ビームの超低損傷ゲルマニウム加工の論文がBest paper Awardを受賞しました。
タイトル   Defect-Free Germanium Etching for 3D Fin MOSFET Using Neutral Beam Etching
概要   受賞者 : En-Tzu Lee, Shuichi Noda, Wataru Mizubayashi, Kazuhiko Endo, Seiji Samukawa

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受賞   富永淳二首席研究員が第13回 本多フロンティア賞を受賞しました。
タイトル   低消費電力型超格子相変化メモリの開発と、そのトポロジカル物性の発見
概要   2016年5月27日(金)、学士会館(東京・神田)において、贈呈式および記念講演が行われました。

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    本多フロンティア賞については、こちらをご覧ください。

受賞   2015年10月29-30日に開催された第51回X線分析討論会(開催地:姫路市)にて、超伝導分光エレクトロニクスグループ  志岐成友主任研究員が第10回浅田榮一賞を受賞しました。
タイトル   超伝導トンネル接合素子をアレイ化したピクセル検出器の開発と軽元素K吸収スペクトロスコピーへの実用化
概要

受賞   2015年9月27-30日に開催されたSSDM2015(開催地:札幌市)にて、新材料デバイス集積グループ  主任研究員  太田裕之とナノCMOS集積グループ  テクニカルスタッフ  黒澤悦男がベストペーパーアワードを受賞しました。
タイトル   Operations of CMOS Inverter and Ring Oscillator Composed of Ultra-Thin Body Poly-Ge p- and n-MISFETs for Stacked Channel 3D-IC
概要   比較的高い移動度でありながら、シリコンウエハーよりも低コストでの量産が期待される多結晶ゲルマニウム オンインシュレーターウエハー(GeOI)上にn型とp型のトランジスを試作し、良好な動作特性を実証しました。 また、Ge CMOSとして、世界に先駆けてインバーター動作、リングオッシレーター動作に成功致しました。現在、素子の微細化に頼るトランジスタの集積化は物理的限界に近づいています。 今回の成果は、微細化には頼らない、トランジスタの3次元積層による高集積化の可能性に道を開くものです。


  発表:2014 International Conference on Solid-State Devices and Materials、p. 668.

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受賞   2015年7月13-17日に開催された(開催地:中国広州)28th International Vacuum Nanoelectronics Conferenceにて、 カスタムデバイスグループ  長尾昌善研究グループ長がベストポスターアワードを受賞しました。
タイトル   Beam profile measurement of volcano-structured double-gated Spindt-type field emitter arrays
概要   A flat panel compact image sensor consisting of field emitter array (FEA) and CdTe photo-detector is proposed for a radiation tolerant compact camera that will be used in high radiation environment such as nuclear reactors. For this application, FEA should be driven in matrix mode and should have focusing electrode to obtain fine electron beam. We have presented fabrication of volcano-structured double-gated Spindt-type FEA (VDGS-FEA), in the last IVNC. In this paper, we will report on the beam focusing characteristics of VDGS-FEA. Basically, the fabrication of VDGS-FEA is almost same as previously reported one except for the point that emitter tip is made of Mo. Electron beam profile was measured by scanning a 40-μm-wide slit electrode located about 1mm above the FEA sample. Detailed experimental setup and results will be discussed in the presentation.

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