ナノエレクトロニクス研究部門ナノエレクトロニクス研究部門

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部門の紹介

 ナノエレクトロニクス研究部門は、以下の研究課題に取り組んでいます。
  
・大規模化するデータに対応して高性能な情報処理を高エネルギー効率で行うための技術として、ギガバイトクラスの集積度を持つ相変化メモリ技術、シリコンMOSFETの駆動力省エネ性を超えるロジックデバイス技術、および、これらを三次元集積する技術を開発しています。
・半導体微細化が限界に近づく中、従来のCMOS集積回路では実現できない新規の情報処理技術を創出するための回路・デバイス・材料技術を、当部門が有する超伝導デバイス集積技術や不揮発メモリ技術をベースとして開発しています。
・社会インフラや産業インフラの保守や点検等に資するため、高エネルギー分解能の超伝導検出器の多画素・多重化技術を開発しています。
・社会や市場が求める電子部品・回路やMEMSデバイスをオンデマンドで製造する変量多品種生産技術として、ミニマルファブ技術を開発しています。
  
ユニット重点化方針
  
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部門紹介パンフレット

    ナノエレクトロニクス部門をご紹介したパンフレットをご覧ください。(画像をクリックいただくとPDFにリンクします)


ナノエレクトロニクス部門パンフレット



CMOSパンフレット

Cravityパンフレット

HIM顕微鏡パンフレット

連絡先

国立研究開発法人 産業技術総合研究所 ナノエレクトロニクス研究部門

〒305-8568 茨城県つくば市梅園1-1-1 つくば中央第2
電話:029-861-3483 FAX:029-861-5088 Eメール: