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 <一般実験室 >

SiO2 sputter machine

 

CMP-1号機
導入年月日 1997年
仕様 スラリーを滴下しながら研摩パッドでウェハ表面を研磨することでウェハ表面を平坦化する装置。ウェハ着脱はマニュアル操作。研摩条件はコンピュータ制御。研摩レシピ登録可能。3 inchウェハの場合、別装置でウェハ表裏両面の後洗浄が可能。
  • 型式:Presi Mecapol E312
  • 装置形態:研摩テーブル x 1 + ウェハ保持用アーム x 1
  • 研摩テーブル回転数制御可能。
  • ウェハ回転方向・回転数制御可能。
  • ウェハ保持アーム:揺動可能。
  • ウェハ圧制御可能。
  • N2ガスによるウェハ背面圧制御可能。
  • スラリー自動滴下装置有。滴下速度制御可能。
  • 基板サイズ:Φ3 inch および4 inch ウェハ
  • 通常、中性のコロイダルシリカスラリーを使用。平均粒径100 nm
  • 主に研摩している材料:SiO2
  • SiO2の研摩速度: 20-30 nm/min
備考
  • 設置場所:2-12棟1133クリーンルーム内。
  • 使用可能サンプル:清浄ベア基板または所定の洗浄プロセスにて処理された基板。
  • 成膜可能な基板サイズ:3 inchウェハおよび4 inchウェハ。ウェハ厚さは要相談。
  • 実際の利用に当たっては装置管理者の指示に従うこと。

Sputter Pd/Ti/Aufilm deposition equipment

CMP-2号機
導入年月日 2010年
仕様 スラリーを滴下しながら研摩パッドでウェハ表面を研磨することでウェハ表面を平坦化する装置。ウェハ着脱はマニュアル操作。研摩条件はコンピュータ制御。研摩レシピ登録可能。3 inchウェハの場合、別装置でウェハ表裏両面の後洗浄が可能。
  • 型式:TRCP-380SW
  • 装置形態:研摩テーブル x 1 + ウェハ保持用アーム x 2
  • 研摩テーブル回転数制御可能。
  • ウェハ回転方向・回転数制御可能。
  • ウェハ保持アーム:揺動可能。
  • ウェハ圧制御可能。
  • スラリー自動滴下装置有。滴下速度制御可能。
  • 基板サイズ:Φ3 inch および4 inch ウェハ
  • 通常、中性のコロイダルシリカスラリーを使用。平均粒径100 nm
  • 主に研摩している材料:SiO2
備考
  • 設置場所:2-12棟1133クリーンルーム内。
  • 使用可能サンプル:清浄ベア基板または所定の洗浄プロセスにて処理された基板。
  • 成膜可能な基板サイズ:3 inchウェハおよび4 inchウェハ。ウェハ厚さは要相談。
  • 実際の利用に当たっては装置管理者の指示に従うこと。
Chemical Mechanical Polisher

 

ダイシング装置
導入年月日 1994年
仕様
  • 目的:ウエハー切断
  • 方式:極薄回転砥石
  • 材料:シリコンウエハー
  • ウエハサイズ:6”φ以下(厚さ0.8mm以下)
  • 典型的プロセス時間:約20分(3”φシリコンウエハー1枚)
  • 特徴:ウエハーはステージ上に真空吸着で固定

 

 

 

 

 

 

備考
  • 設置場所:2-12棟1133室内。
  • 使用可能サンプル:表面に非磁性無機材料またはフォトレジストが成膜されたシリコン基板(ベアシリコン基板含む)。
  • 切断可能な基板サイズ:6"φ以下。
  • 実際の利用に当たっては装置管理者の指示に従うこと。