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 < CR3成膜室B >

SiO2 sputter machine

 

TEOS-CVD装置
導入年月日 2014年
仕様 PD-270STL-AI 液体ソースTEOS を原料としてSiO2 膜を基板上に形成するプラズマCVD 装置。低温(80度)での成膜も可能。内部応力を膜組成を換えることで、制御可能。屈折率を各種元素をドープする事により変更可能。高アスペクト比(50)構造への成膜も可能。
  • 成膜可能な基板サイズ:8インチ
  • ウェハー間膜厚均一性:±3%以下
  • 基板加熱温度:60~200度
  • RF周波数:13.56MHz
  • RF出力:1kW
  • ガス導入系:マスフローコントローラー 4系統
  • ガス供給方式:恒温槽による気化ガス直接流量制御方式
  • 成膜可能膜厚:10μm以上
  • 成膜速度:最大100nm/min以上
  • 膜応力:-300-200 MPa
  • 手動/自動運転モード切替可能
  • 登録可能レシピ数:100。
備考
  • 設置場所:2-12棟1133クリーンルーム内。
  • 使用可能サンプル:8インチウェハ以下。
  • 実際の利用に当たっては装置管理者の指示に従うこと。

SiO2 sputter machine

 

絶縁膜作製装置
導入年月日 1998年
仕様 交流高電圧によりArプラズマを発生させて成膜材料へ衝突させることにより、基板へSiO2膜を自動でスパッタします。基板を回転させることによりカバレッジと均一性を改善します。ロードロック室付きなので基板交換を効率よく迅速に行えます。基板搬送は手動操作です。
  • 型式:M98-0021
  • 装置形態:スパッタチャンバー x 1 + ロードロック室
  • スパッタ源:6inchRFマグネトロン x 1式
  • スパッタ電源:RF電源 最大出力1000W (800Wで使用中)
  • 基板サイズ:Φ3inchウェハ、Φ2inchウェハ
  • 基板加熱機構:なし
  • 基板冷却機構:あり
  • 逆スパッタで基板クリーニング可能。
  • ターゲット-基板間距離:40~80mm (ユーザー変更不可)
  • 到達真空度:1.4 x 10-7 Torr以下
  • 使用ガス:Ar
  • PCによる自動成膜(Webにより進捗状況を遠隔モニター可能、ただし遠隔操作は不可)
  • 成膜可能材料:SiO2
  • 成膜時間:6nm/min 例)400nm成膜に試料の搬入出も含めて約2時間
備考
  • 設置場所:2-7棟113クリーンルーム内。
  • 使用可能サンプル:清浄ベア基板または所定の洗浄プロセスにて処理された基板。
  • 成膜可能な基板サイズ:標準で3、2inchウェハを用意、ユーザーがホルダを用意することにより任意のサイズに対応事例あり。
  • 実際の利用に当たっては装置管理者の指示に従うこと。

Multitaget(6 targets) suptter machine

 

マルチターゲット(六源)スパッタ装置
導入年月日 2004年
仕様
  • 最大基板サイズ:4inchウェハ。
  • 成膜チャンバーとサンプル搬入用ロードロックの2チャンバー構成。
  • スパッタ方式:DC、RF可能。
  • 成膜時の圧力コントロール精度:0.2mTorr以下。
  • 成膜可能材料:Nb,Al,SiO2,Ti,W,Au。
  • 基板洗浄用逆スパッタ可能。
  • 基板洗浄時のバイアス電圧モニタリング可能。
  • 分子状酸素による酸化プロセス実行可能。
  • レシピによる全自動成膜が可能。
  • ジョセフソン接合、超伝導転移端検出器、超伝導量子細線検出器作製用の各種材料の成膜に使用している。
  • レシピにより各種材料を用いた多層膜の成膜可能。
備考
  • 設置場所:2-7棟113クリーンルーム内
  • 使用可能なサンプル:清浄ベア基板または所定の洗浄プロセスにて処理された基板。
  • 成膜可能な基板サイズ:4、3、2inchウェハと20mm角基板。
  • 実際の利用に当たっては装置管理者の指示に従うこと。

Multitaget(6 targets) suptter machine

 

イオンミリング装置
導入年月日 2000年
仕様 加速したArイオンを試料に照射して表面をエッチングする装置。純粋に物理的なエッチングなので、貴金属や酸化物などを含めてすべての物質がエッチング可能。その反面、エッチング速度の選択比は通常高くはなく、またエッチング物質再付着の問題もある。イオンソースの直径が大きく有効エッチング面積が広いため、3 inchウェハなら2枚同時エッチングが可能。
  • 型式:TDY-1800
  • 装置形態:エッチング室 x 1 (ロードロックなし)
  • イオンソース:Ion Tech社製16cm RFイオンソース。RFニュートラライザ付き。最大ビーム電流:700 mA。ビーム加速電圧:50-2000 eV。
  • 基板保持機構:3 inchウェハは専用ホルダ有。他はツメ型治具で押えて保持。最大基板サイズ:Φ6 inch。基板角度調整可能 (0-90°)。基板回転可能。基板水冷用チラー (温度可変)付き。
  • ターボ分子ポンプで排気。到達真空度:5 x 10-6 Pa以下
  • 使用ガス:Ar ・主にエッチングしている材料:Nb, Al, SiO2 ・Alのエッチングレート: 20 nm/min
備考
  • 設置場所:2-12棟1133クリーンルーム内
  • 使用可能なサンプル:清浄ベア基板または所定の洗浄プロセスにて処理された基板。パターニングされたレジスト付き基板。
  • エッチング可能な基板サイズ:Φ6 inchウェハまで。
  • 実際の利用に当たっては装置管理者の指示に従うこと。

Multitaget(6 targets) suptter machine

 

高温熱処理装置 (RTA)
導入年月日 2015年
仕様 AS-One100
  • 最大加熱温度:1500度
  • 最大昇温率:200度/sec
  • 最大冷却率:100度/sec
  • 複数のガス(Ar,O2,N2)フロー可能
  • 最大真空度:10-6 Torr
  • 処理可能なウェハーサイズ:6インチ (ただ、ウェハー面内の温度ムラがある)
  • 200度程度の高精度低温アニール用サセプター有り
備考
  • 設置場所:2-12棟1133クリーンルーム内
  • 使用可能なサンプル:3インチウェハ以下。
  • 実際の利用に当たっては装置管理者の指示に従うこと。

Multitaget(6 targets) suptter machine

 

オートプローバ
導入年月日 2000年
仕様 本装置は、ウェハステージに人手でウェハをセットすることで、自動的にプロービング測定を行うセミオートプローバです。試作途中又は試作後のウェハの2端子、4端子測定が可能です。測定レンジの設定もプログラムで自動的に変更して測定します。
  • 型式:PCP-102SL
  • ウェハ保持:ウェハ裏面のバキュームチャック
  • アライメント:オート(画像認識)又はマニュアルでも可
  • プロービング:マイクロポジショナー、ニードル数:4
  • 測定箇所は、全てプログラム内に座標指定する。
  • 座標データが記入されたExcelデータを読込むことも可
  • 測定結果はPCに自動取込み、Excelデータに変換可能
  • 測定器:デジタルマルチメータ(Agilent 34410A)又はエレクトロメータ(Advantest R8252)
  • 測定可能なウェハサイズ:3インチ、但し装置設定を変更すれば8インチまで対応可
  • 測定時間:プロービングサイト数によるが、例えば1ウェハ3000箇所程度の2端子測定は20分程度(100箇所以上/分)。
備考
  • 設置場所:2-12棟1133クリーンルーム内
  • 使用可能なサンプル:裏面が清浄な3インチウェハ、但し、装置設定を変更すれば8インチまで対応可。
  • 実際の利用に当たっては装置管理者の指示に従うこと。

Multitaget(6 targets) suptter machine

 

ナノサーチ顕微鏡
導入年月日 2014年
仕様

ST-4500 光学顕微鏡、走査型レーザー顕微鏡(LSM),走査型プローブ顕微鏡(SPM)を一台に集約。多様な試料に対応の観察・測定装置。 数十倍から百万倍の超ワイド領域で,ミリからナノまでの観察・測定を本装置のみで実現。各種顕微鏡の切り替えは電動で実施のため、観察対象物を見失うことなく,素早く正確にプローブ顕微鏡で観察が可能。 また、微分干渉スライダ、偏光板も搭載され、明視野、微分干渉、レーザーコンフォーカル、レーザーコンフォーカル微分干渉での測定が可能。

1.レーザー顕微鏡(LSM)部性能
  ・レーザー波長:405nmの半導体レーザー
  ・カラー観察用光源:白色LED
  ・カラー観察用CCD:200万画素
  ・対物レンズ種類:5×、20×、50×、100×
  ・XYステージ:100×100mm以上の電動ステージ。ステージ台回転機能付き(±40°以上の回転可能)
  ・最大サンプル高さ:70 mm
  ・高さ分解能:1 nm
2.走査型プローブ顕微鏡(SPM)性能
  ・スキャン範囲:最大30μm×30μm×4μm(X-Y-Z)
  ・選択可能動作モード:コンタクトモード,ダイナミックモード,位相モード,電流モード,表面電位(KFM)モード
3.データ解析性能
  ・LSMデータ解析内容:プロファイル測定、段差測定、面積/体積測定、線粗さ測定、面粗さ測定が可能
  ・取得データ:スナップショット、3Dデータ、長寸法ラインデータ
  ・SPMデータ解析内容:断面形状解析、線粗さ解析、面粗さ解析、形態解析、平均段差測定が可能
  ・画像スティッチング枚数:最大625枚

備考
  • 設置場所:2-12棟1131クリーンルーム内
  • 使用可能なサンプル:裏面が清浄な4インチ以下のデバイス。
  • 実際の利用に当たっては装置管理者の指示に従うこと。

Multitaget(6 targets) suptter machine

 

シート抵抗測定装置
導入年月日 2004年
仕様
  • 測定可能ウェハーサイズ:76.2-300mm
  • 0.95秒/1点、1分/49点の高速処理
  • 浅いイオン注入層、薄い金属膜他の高精度測定
  • 内蔵式ノッチ/オリフラ探知機による高位置精度(オプション)
  • シート抵抗分布が一目で分かるインテリジェントマッピング
  • Windowsライクな画面で操作性が飛躍的に向上
  • トレンドチャートなど統計的データ解析機能充実(オプション)

 

 

 

備考
  • 実際の利用に当たっては装置管理者の指示に従うこと。

Multitaget(6 targets) suptter machine

 

段差計
導入年月日 2007年
仕様

型名:P-16 本装置は、段差・表面粗さ・微細形状を測定する装置です。先端がダイヤモンドのスタイラス(触針)で測定物表面を低針圧でなぞり、表面粗さ、うねり等の測定を行う触針式表面形状測定器です。本装置は、WINDOWS XPをベースとした装置です。

 

  基本仕様
  • 最大ウェハサイズ :200mm
  • アクセス範囲 :200mmφ
  • XY位置決め精度 :2µm (1σ)
  • 回転範囲 :0~360°
  • 分解能 :0.01°
  • 走査速度 :1µm/秒~25mm/秒
  • 測定レンジ :±6.5µm, ±32µm
  • ??:300µm
  • 垂直リニアリティ :2000Å未満の場合10Å、2000Å以上の場合±0.5%
  • 針圧設定範囲 :1mg~50mg
  • 分解能 :0.1mg

備考
  • 設置場所:2-7棟113クリーンルーム内
  • 使用可能なサンプル:清浄ベア基板または所定の洗浄プロセスにて処理された基板。
  • 成膜可能な基板サイズ:4、3、2inchウェハと20mm角基板。
  • 実際の利用に当たっては装置管理者の指示に従うこと。