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 < CR2成膜室A >

 

Sputtering machine

Nb/Alジョセフソン接合作製装置[標準型]
導入年月日 1998年
仕様 本装置は、ロードロック室、酸化室、ALスパッタ室、Nbスパッタ室の4チャンバーで構成され、真空状態でウエハを搬送させ多層膜を形成するこが可能です。酸化室ではRF逆スパッタにより必要に応じてウエハ表面のクリーニングも出来ます。チャンバー間の移動は自動操作可能です。
  • スパッタ方式:DCスパッタ
  • スパッタレート:Nb=78nm/min AL=15nm/min
  • ウエハ冷却(酸化室):22℃
  • 酸化ガス:Ar・O2
  • 到達真空度:5×10-8Torr
  • 最大基板サイズ:Φ3inchウェハ
  • 基板保持機構:水冷
  • ターゲット-基板間距離:50~200mm
  • 膜厚分布:±5%
  • 使用ガス:Ar, Ar/O2
  • 成膜時間制御用タイマー付き。
  • 成膜可能材料:Nb,Al
備考
  • 設置場所:2-12棟1131クリーンルーム内。
  • 使用可能サンプル:ベアまたは表面に非磁性材料の成膜された洗浄済みウエハ、レジスト付着物は不可。
  • 実際の利用に当たっては装置管理者の指示に従うこと。

NbN sputter machine

NbNジョセフソン素子作製装置
導入年月日 1996年
仕様 交流高電圧によりN2(またはAr)プラズマを発生させて成膜材料へ衝突させることにより、基板へNbN(またはNb)の超伝導薄膜をスパッタします。TiN(またはTi)の常伝導膜との組み合わせでSNS型のジョセフソン接合を作製できます。PCにより自動で逐次多層成膜することができます。真空システムと基板搬送は手動操作です。
  • 型式:EVP-30751
  • 装置形態:スパッタチャンバー x 1 + ロードロック室
  • スパッタ源:6inchRFマグネトロン x 3式
  • スパッタ電源:RF電源 最大出力600W
  • 基板サイズ:Φ3inchウェハ、Φ2inchウェハ
  • 基板加熱機構:故障中(修理予定なし)
  • 基板冷却機構:なし
  • イオンビームで基板クリーニング可能。
  • ターゲット-基板間距離:40~80mm (ユーザー変更不可)
  • 到達真空度:1.4 x 10-4 Pa以下
  • 使用ガス:Ar, N2
  • PCによる自動成膜(Webによる遠隔モニタ機能有)
  • 成膜可能材料:NbN, Nb, Ti, TiN, Al (Alは暫定のため予告なく変更の可能性あり)
  • 成膜時間:NbN 76nm/min 例)SNSジョセフソン接合の積層膜に2時間
備考
  • 設置場所:2-12棟131クリーンルーム内。
  • 使用可能サンプル:清浄ベア基板または所定の洗浄プロセスにて処理された基板。
  • 成膜可能な基板サイズ:3、2inchウェハと20mm角基板。
  • ターゲット材料は暫定のためNb以外は予告なく変更する可能性あり。
  • 実際の利用に当たっては装置管理者の指示に従うこと。
ICP-Reactive Ion Etching machine: Ulvac

 

ICP型反応性イオンエッチング装置
導入年月日 2004年
仕様 有磁場ICP(Inductively Coupled Plasma)型高密度プラズマエッチング装置。低パワーでも安定・均一なプラズマが得られ、ダメージの少ないエッチングが可能。プラズマ密度と基板への入射エネルギーを独立に制御可能。ロードロック付き。ウェハは自動搬送。枚葉式処理。タッチパネル制御。エッチングレシピ登録可能。エッチングログ保存機能。
  • 型式:ULVAC CE-300I
  • 装置形態:エッチング室 x 1 + ロードロック室
  • 電源:最大出力1000 W(アンテナ部)、300 W(バイアス部)
  • 最大基板サイズ:Φ3inchウェハ
  • チップ状試料の場合はトレイ処理が可能
  • 基板保持機構:静電チャックおよびHeガス冷却機構
  • 電極水冷用チラー
  • エッチングガス圧: 0.07-13.3 Pa
  • 到達真空度:5 x 10-4 Pa以下
  • TMPおよびドライポンプで排気
  • 使用ガス:SF6, CF4, C4F8, O2
  • エッチング終点検出可能。
  • 主にエッチングしている材料:Mo, TiN, NbN, Si
  • Moのエッチングレート: 30 nm/min
備考
  • 設置場所:2-12棟1131クリーンルーム内。
  • 使用可能サンプル:清浄ベア基板または所定の洗浄プロセスにて処理された基板。
  • エッチング可能な基板サイズ:3 inchウェハ。その他の基板サイズの場合はご相談ください。
  • 実際の利用に当たっては装置管理者の指示に従うこと。

Reactive Ion Etching machine

 

反応性イオンエッチング装置(Ulvac)
導入年月日 2003年
仕様 並行平板型反応性イオンエッチング装置。ロードロック付き。ウェハは自動搬送。枚葉式処理。タッチパネル制御。エッチングレシピ登録可能。エッチングログ保存機能。
  • 型式:ULVAC CE-300R
  • 装置形態:エッチング室 x 1 + ロードロック室
  • RF電源:最大出力300W
  • 最大基板サイズ:Φ3inchウェハ
  • チップ状試料の場合はトレイ処理が可能
  • 基板保持機構:静電チャックおよびHeガス冷却機構
  • 電極水冷用チラー
  • エッチングガス圧: 5-200 Pa
  • 到達真空度:5 x 10-4 Pa以下
  • TMPおよびドライポンプで排気
  • 使用ガス:SF6, O2
  • エッチング終点検出可能。
  • 主にエッチングしている材料:Nb
  • Nbのエッチングレート: 200 nm/min
備考
  • 設置場所:2-12棟1131クリーンルーム内。
  • 使用可能サンプル:清浄ベア基板または所定の洗浄プロセスにて処理された基板。
  • エッチング可能な基板サイズ:3 inchウェハ。その他の基板サイズの場合はご相談ください。
  • 実際の利用に当たっては装置管理者の指示に従うこと。

Samco-I

 

反応性イオンエッチング装置Samco-I
導入年月日 2002年
仕様 本装置は、プラズマリアクティブイオンエッチング法により高密度エッチングが可能です。主にSiO2膜のエッチングを目的としています。ロードロック室を装備しているため再現性よくエッチングが出来ます。操作はレシピを作成、登録しタッチパネルによる全自動運転です。
  • 型式:SAMCO RIE200L
  • 主なエッチング材料:SiO2
  • ウエハサイズ:3inchウエハ
  • 使用ガス:CF4,CHF3,O2
  • エッチングレート:SiO2=18nm/min
  • 面内均一性:5%以下
  • 反応室到達真空度:4×10-5Pa
  • 基板冷却機構:水冷
  • ウエハトレー:石英
  • エッチング終点検出:なし
備考
  • 設置場所:2-12棟1131クリーンルーム内。
  • 使用可能サンプル:ウエハ裏面に異物等がなきこと。
  • 実際の利用に当たっては装置管理者の指示に従うこと。

Samco-II

 

反応性イオンエッチング装置Samco-II
導入年月日 2000年
仕様 本装置は、プラズマリアクティブイオンエッチング法により高密度エッチングが可能です。主にSiO2膜のエッチングを目的としています。ロードロック室を装備しているため再現性よくエッチングが出来ます。操作はレシピを作成、登録しタッチパネルによる全自動運転です。
  • 型式:SAMCO RIE200L
  • 主なエッチング材料:SiO2
  • ウエハサイズ:3inchウエハ
  • 使用ガス:CHF3,O2
  • エッチングレート:SiO2=18nm/min
  • 面内均一性:5%以下  
  • 反応室到達真空度:4×10-5Pa
  • 基板冷却機構:水冷
  • ウエハトレー:カーボン
  • エッチング終点検出:なし
備考
  • 設置場所:2-12棟1131クリーンルーム内。
  • 使用可能サンプル:ウエハ裏面に異物等がなきこと。
  • 実際の利用に当たっては装置管理者の指示に従うこと。

Manual prober

 

マニュアルプローバ
導入年月日 1985年
仕様 本装置は、ウェハステージに人手でウェハをセットし、マイクロポジショナー(ニードル)をマニュアルで測定箇所に合わせて測定するマニュアルプローバです。試作途中又は試作後のウェハの2端子、4端子測定が可能です。
  • 型式:705B-A ・ウェハ保持:ウェハ裏面のバキュームチャック
  • プロービング:マイクロポジショナー、ニードル数:4
  • 測定器:デジタルマルチメータ(Keithley 197)
  • 測定結果はデジタルマルチメータの表示のみ。
  • 測定可能なウェハサイズ:3インチ、4インチ、数mm角のチップでも可
  • 測定時間:プロービング数に依存
備考
  • 設置場所:2-12棟1131クリーンルーム内。
  • 使用可能サンプル:裏面が清浄な3インチ、4インチウェハ、又は数mm角のチップでも可
  • 実際の利用に当たっては装置管理者の指示に従うこと。

Ashing machine

 

アッシング装置
導入年月日 2004年
仕様 本装置は、一般的なドライエッチング装置であるが、主な使用目的はO2プラズマによるフォトレジスト残渣除去である。
  • 方式:酸素プラズマ
  • 試料:シリコンウエハー
  • 試料サイズ:175mm×200mm以下
  • 典型的プロセス時間:約15分(5分程度のプラズマ処理の場合)
  • 特徴:平行平板電極型(ダイレクトプラズマモード、RIEモード選択可能)
備考
  • 設置場所:2-12棟1131室クリーンルーム内。
  • 使用可能サンプル:表面に非磁性無機材料またはフォトレジストが成膜されたシリコン基板(ベアシリコン基板含む)
  • 処理可能な基板サイズ:6"φ以下。
  • 実際の利用に当たっては装置管理者の指示に従うこと。

Samco-III

 

反応性イオンエッチング装置Samco-III
導入年月日 2010年
仕様 この装置は反応性ガス(CF4,SF6,O2)を高周波電界中で活性化し、これにより生じたラジカル●イオンをエッチャントとして利用して材料表面を削るものです。基板に高周波電圧を印加する方式により、加速されたイオンが基板に対して垂直方向に入射してエッチングを進めるのでパターンの微細化に有効です。
  • 型式:RIE-10NR
  • 最大基板サイズ:Φ8inchウェハ
  • 放電方式:容量結合方式(CCP)
  • 高周波電界:周波数13.56MHz(水晶発振制御)、最大300W
  • 電界制御:インピーダンスオートマッチング
  • 反応ガス:CF4,SF6,O2
  • パージガス:N2
  • 基板冷却:水冷
  • エッチング可能材料:Nb,Ta,W,NbN等
備考
  • 設置場所:2-12棟1131クリーンルーム内。
  • エッチング可能サンプル:清浄ベア基板または所定の洗浄プロセスにて処理された基板。
  • 現時点でエッチング可能な基板サイズ:8inchウェハと4inch以下のサイズのウェハおよび小形基板。
  • 実際の利用に当たっては装置管理者の指示に従うこと。

Sputtering machine for Nb

 

Nb-Alジョセフソン接合作製装置[In-situ分析器&オゾン酸化器付]
導入年月日 1993年
仕様 直流高電圧によりArプラズマを発生させて成膜材料へ衝突させることにより、基板へ均質緻密な膜をスパッタします。ロードロック室付きなので基板交換を効率よく迅速に行えます。2種類の材料を逐次多層成膜することができます(全自動)。真空システムと基板搬送を含め全自動動作が可能です。
  • 型式:M93-0012
  • 装置形態:スパッタチャンバー x 2 + 酸化室+ロードロック室
  • スパッタ源:6inchDCマグネトロン x 2式(各スパッタ室に1つ)
  • スパッタ電源:DC電源 最大出力1.5kW(各スパッタ源と排他的に接続)
  • 電力コントロール:アーキング防止機能付き
  • RF電源:最大出力500W
  • 最大基板サイズ:Φ4inchウェハ
  • 基板保持機構:水冷
  • 1つの成膜チャンバー内で逆スパッタ可能。
  • ターゲット-基板間距離:50~200mm
  • 膜厚分布:±5%以内@100~200nm, Nb成膜時@Φ2inch内
  • 到達真空度:5 x 10-6 Pa以下
  • 成膜時Ar圧力:0.113~2Pa, コントロール精度:0.013Pa以下
  • 使用ガス:Ar, O2,O3
  • レシピによる全自動成膜可能。(外部PC制御可能)
  • 成膜可能材料:Nb,Al
  • 各チャンバーに分圧真空計付き。
  • O3を使った表面酸化が可能。
備考
  • 設置場所:2-12棟1131クリーンルーム内。
  • 使用可能サンプル:清浄ベア基板または所定の洗浄プロセスにて処理された基板。
  • 成膜可能な基板サイズ:4、3、2inchウェハと15,20mm角基板。
  • 実際の利用に当たっては装置管理者の指示に従うこと。