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 < CR1露光室 >

j-line stepper

 

i線ステッパ
導入年月日 2012年
仕様 本装置は、レチクル上に描画されたパターンを超高圧水銀灯で照明し、縮小投影レンズを通してウェハ上に結像させ、焼き付けます。また、ウェハステージをステップ・アンド・リピートさせながら露光するので、ウェハ全面への露光が可能になります。
  • 形式:NSR-2205i12D
  • 露光光源:i線(波長365nm)
  • 解像度:350nm L&S
  • 開口数N.A:最大0.63、0.63~0.5で可変
  • 縮小倍率:1/5倍
  • 1ショットの露光範囲:22mm角 又は 17.96(横)×25.2(縦)mm、但し、φ31.11mm以内
  • 露光マスク:6インチレチクル
  • アライメント精度:55nm以下 
  • 露光可能なウェハサイズ:3インチ、4インチ、6インチ
  • 標準的な露光時間(ウェハ、レチクルのセットから露光終了まで):10分程度/ウェハ
    但し、上記はアライメントがオートでなされ、エラーが発生しない場合。
備考
  • 設置場所:2-12棟1131クリーンルーム内。
  • 使用可能サンプル:清浄ベアウェハまたは所定の洗浄プロセスにて処理されたウェハ。
  • 利用開始前に操作法についての講習の履修が必要。
  • 露光プロセスとプログラミングはユーザー自身が実施すること。また、利用マニュアルに記述のない操作を禁止する。
  • 実際の利用に当たっては、装置管理者の指示に従うこと。また、不具合が発生した場合、管理者へ通知のこと。

Coat/develop system

 

コーターデベロッパー
導入年月日 1998年
仕様 本装置は、レシピを作成、登録することにより全自動でレジスト塗布、現像、ベークを行うことが出来ます。薬液は所定の温度、湿度に保たれており安定したレジスト塗布が可能です。
  • レジスト:ネガ、ポジ
  • ウエハサイズ:3inchウエハ
  • レジスト膜厚:0.7~1.0μm
  • ベーク温度:110℃
  • 処理時間:約5分
  • 薬液温度:23℃
  • 薬液湿度:45%
  • HMDS処理有り
  • 基板冷却機構:水冷
  • ウエハエッジ部、裏面リンス機能有り 
備考
  • 設置場所:2-12棟1131クリーンルーム内。
  • 使用可能サンプル:ウエハ裏面に異物等がなきこと。
  • 実際の利用に当たっては装置管理者の指示に従うこと。

Wafer processor A

 

有機洗浄装置A
導入年月日 2005年
仕様 本装置は、洗浄処理部のウェハステージに人手でウェハをセットすることで、薬液(レジスト剥離液)にて自動的にウェハの表面洗浄処理を行う枚葉式のスピン洗浄装置です。主な用途として反応性イオンエッチング(RIE)後のレジスト剥離、洗浄に用います。下記の各機能をプログラム(レシピ)で設定して、設定レシピに応じた自動洗浄を行うことができます。 ・ウェハ保持:ウェハ裏面のバキュームチャック
  • レジスト剥離液:NMP、ノズル吐出又は高圧ジェット吐出
  • 薬液温度:通常80℃に設定
  • 乾燥:スピン乾燥(3000rpm)+N2ブロー
  • バックブロー:N2ブローによりウェハ裏面への洗浄液の回り込み防止機能有り。
  • 洗浄可能なウェハサイズ:3インチのみ、変換ホルダの使用厳禁。
  • 洗浄時間:レシピ設定に依存、標準的には15分~30分程度/ウェハ
備考
  • 設置場所:2-12棟1131クリーンルーム内。
  • 使用可能サンプル:ベアウェハまたはレジスト付着ウェハの洗浄。金などのリフトオフでの使用も可。薬液はフィルターでろ過して循環しているので極端に汚れたウェハーの洗浄は不可。
  • 実際の利用に当たっては装置管理者の指示に従うこと。
Wafer processor B

 

有機洗浄装置B
導入年月日 2003年
仕様 本装置は、洗浄処理部のウェハステージに人手でウェハをセットすることで、薬液(レジスト剥離液)にて自動的にウェハの表面洗浄処理を行う枚葉式のスピン洗浄装置です。主な用途として反応性イオンエッチング(RIE)後のレジスト剥離、洗浄に用います。下記の各機能をプログラム(レシピ)で設定して、設定レシピに応じた自動洗浄を行うことができます。
  • ウェハ保持:ウェハ裏面のバキュームチャック
  • レジスト剥離液:NMP、ノズル吐出又は高圧ジェット吐出
  • 薬液温度:通常80℃に設定
  • ブラシスクラブ洗浄:PVA回転ブラシ、搖動可
  • メガソニックシャワー洗浄(超純水)
  • 乾燥:スピン乾燥(3000rpm)+N2ブロー
  • バックブロー:N2ブローによりウェハ裏面への洗浄液の回り込み防止機能有り。
  • 洗浄可能なウェハサイズ:3インチのみ
  • 洗浄時間:レシピ設定に依存、標準的には10分程度/ウェハ
備考
  • 設置場所:2-12棟1131クリーンルーム内。
  • 使用可能サンプル:基本的にベアウェハまたはレジスト付着ウェハの洗浄のみ。金などのリフトオフでの使用は不可。
  • 実際の利用に当たっては装置管理者の指示に従うこと。

semi autodeveloper

 

セミオートデベロッパー
導入年月日 2012年
仕様 本装置は露光後のレジスト現像を行うセミオートデベロッパーです。本装置は、従来型のスプレー現像・エッチング処理方式ではパターン倒壊を招くような極微細かつアスペクト比の高いレジストパターンの現像・エッチングに対応しています。窒素ガスを使用した2流体ノズルスプレーを備えています。
  • 現像液:TMAH2.38%(NMD-W, MF319,MF450等可能)
  • 乾燥:窒素ブロー
  • 対応ウェハーサイズ:3,4inch(排他使用)
  • 現像可能レジスト:PFI-68,26, ZPN1150, NPR9700。
備考
  • 設置場所:2-12棟1131クリーンルーム内。
  • 使用可能サンプル:基本的にベアウェハまたはレジスト付着ウェハのみ。
  • 実際の利用に当たっては装置管理者の指示に従うこと。

Single Wafer Cleaner

 

ウェハー洗浄装置
導入年月日 2010年
仕様 本装置は、希フッ酸によるSiの自然酸化膜のエッチングとオゾン水によるSi酸化プロセスの繰り返しにより、Siウェハー表面・裏面を同時に洗浄する、スピンタイプのウェハー洗浄装置です。回転保持機構部にフィンタイプチャックを採用、通常のウエハーのほか、反りのある薄物ウエハーに対しても安定した回転能力を保持。更にハンギング方式でのハンドリングにより高い安定性を実現しています。またロボットアーム、ウェハーキャリアー設置部の段取り替えにより複数のウェハーサイズに対応しています。洗浄中のウエハー裏面への処理液の回り込みが極めて少なく、裏面へのリンス処理も可能です。
  • 対応可能ウェハーサイズ:3,4inch(排他使用)。
  • 洗浄能力:洗浄後の4inchのSiウェハー上の0.1μmの粒子の数が<10個
  • 使用溶液:DHF(0.5-20wt%)、オゾン水(20ppm)。
  • 超純水ノズル種類:2流体ノズル、メガソニック。
  • 乾燥:窒素ブロー。
備考
  • 測定可能なサンプル:薄膜成膜前の所定の洗浄プロセスにて処理された基板。
  • 実際の利用に当たっては装置管理者の指示に従うこと。

Single Wafer Cleaner

 

酸系ウエットエッチング装置
導入年月日 2017年
仕様 本装置は、酸系のエッチング液を用いたスプレー旋回処理、超純水を用いたリンス、窒素ブローによる乾燥の一連処理をスピン上で行う装置である。薬液は独立したノズルで2系統、ドレインは3系統であること。
  • 対応基板サイズ: φ2インチ、φ3インチ、φ4インチ
  • 対応基板厚さ:0.28 mm~0.80 mm洗浄能力
  • 基板保持方法:真空チャック
  • 使用可能な薬液:硝酸、リン酸、酢酸の混合液であるAlエッチング用混酸
  • 薬液ノズル:スイングノズル
  • 薬液吐出方式:スプレー
  • 薬液ノズル数:2系統
備考
  • 設置場所:2-12棟1131クリーンルーム内。
  • 使用可能サンプル:基本的にベアウェハまたはレジスト付着ウェハのみ。
  • 実際の利用に当たっては装置管理者の指示に従うこと。測定可能なサンプル:薄膜成膜前の所定の洗浄プロセスにて処理された基板。