ナノエレクトロニクス研究部門ナノエレクトロニクス研究部門

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エレクトロニクス・製造分野
集積回路に用いられる材料、デバイス、作製プロセス、設計、及び、解析評価に関するコア技術を創出し、大規模化・多様化するデータ利活用の超低消費電力化を先導します。また、インフラ診断等の社会ニーズに対応する高性能センシングや市場ニーズに柔軟に対応するデバイス製造・回路設計を、超伝導、ミニマルファブ、FPGA等の技術を応用して開発します。これらの成果の産業界や社会への橋渡しを実行して我が国の半導体関連産業の競争力を強化し、様々な分野におけるイノベーション創出の基盤である情報通信プラットフォームの高度化と高効率化に貢献します。
 

更新情報

2017年9月5日 お知らせ 第3回内閣府SIP革新的構造材料 先端計測拠点 TIA-Fraunhofer  合同シンポジウムを開催します。
  開催日 : 2017年10月3日(火)〜10月5日(木)
  開催場所 : 産業技術総合研究所 つくばセンター 共用講堂  大会議室

詳細はこちらからご覧ください。     English pageはこちらから。
部門イベントページにも掲載しています。

2017年8月9日 お知らせ 2017年7月22日(土)産総研つくばセンター一般公開にて チャレンジコーナー「手作りコンピューター最初の一歩 ラムちゃんとリングくんボードを作ろう」を出展しました。
   18組×4回、合計72組の方にご参加いただき、工作と展示をお楽しみいただきました。
   参加くださった皆様、ご協力の皆様、ありがとうございました。 詳細はこちらからご覧ください。
2017年7月11日 お知らせ 2017年7月22日(土)産総研つくばセンター一般公開にて チャレンジコーナーNO.29「手作りコンピューター最初の一歩 ラムちゃんとリングくんボードを作ろう」を出展します。
   つくばセンター一般公開詳細ページはこちらから
   昨年の様子はこちらからご覧ください。
2017年6月20日 プレスリリース ゲルマニウム単結晶の超薄膜化により電子移動度が飛躍的に向上 −集積回路の高速化と低消費電力化に貢献−
2017年6月13日 お知らせ 第23回国際交流会議「アジアの未来」晩餐会の安倍首相スピーチにおいてクンプアン・ソマワン主任研究員が紹介されました。
産総研ニュース記事はこちらからご覧ください。
2017年5月10日 採用情報 人材募集:     公募課題名は以下の4課題です。
  
【テニュアトラック型またはパーマネント型】
  • DEV-1 「ロジックおよびメモリ回路の低消費電力化と三次元集積に関する研究開発」
  • SDEV-1 「ポストムーア超高性能計算機の技術分野横断的開発」

  • 【年俸制】
  • PDEV-1  「ウエハレベル三次元集積技術の研究開発」
  • PMANU-1 「ミニマルファブを用いたデバイス製造のための設計・プロセス技術開発」

  • 詳細はこちらからご覧ください。
    2017年1月13日 プレスリリース 抵抗変化メモリーの挙動を電流ノイズから解明 −不揮発性メモリーの用途拡大へ向けて−
    2016年12月7日 プレスリリース 新原理のトランジスタを用いた集積回路の動作を実証 −超低消費電力集積回路の実用化に向けて前進−
    2016年11月2日 お知らせ 酒井滋樹招聘研究員が編集者の一人である書籍 "Ferroelectric-Gate Field Effect Transistor Memories: Device Physics and Applications" (Topics in Applied Physics Volume 131, Springer)が発刊されました。 この本の2章と13章を、高橋光恵主任研究員と酒井招聘研究員が執筆していま す。出版社ページはこちらから
    2016年10月18日 受賞 連携研究体グリーン・ナノエレクトロニクスセンター(GNC、2009-2013年度) の成果をまとめた論文が2016年度応用物理学会優秀論文賞を受賞しました。
    詳細はこちらから
    2016年10月12日 プレスリリース 従来の限界を超える高温環境で動作する不揮発性メモリー −人類が初めて手にする600 ℃超での書き換え・記録技術−
    2016年10月12日 受賞 産総研クロスアポイントの成果である中性粒子ビームの超低損傷ゲルマニウム加工の論文がIEEE Nano2016(2016年8月22日-25日、仙台)において、Best paper Awardを受賞しました。
    詳細はこちらから
    2016年9月13日 お知らせ Alexander V.Kolobov首席研究員と富永淳二首席研究員による、二次元層状物質として注目を集める遷移金属ダイカルコゲナイドについての共著"Two-Dimensional Transition-Metal Dichalcogenides"が、Springer Series in Materials Science 239として出版されました。 出版社ページはこちらから

    連絡先

    国立研究開発法人 産業技術総合研究所 ナノエレクトロニクス研究部門

    〒305-8568 茨城県つくば市梅園1-1-1 つくば中央第2
    電話:029-861-3483 FAX:029-861-5088 Eメール: