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契約職員募集

部署  : ナノエレクトロニクス研究部門
募集区分  : 第一号職員
拠点  : つくばセンター

※ 本募集内容に関するご質問は、それぞれの問い合わせ先の担当者までお願いします。
※ 履歴書は所定様式にて提出してください。→様式

本公募は終了しました 契約職員 【公募No : 29-neri_0026】     
研究グループ・室 新材料デバイス集積グループ
研究内容または業務内容 JST戦略的創造研究推進事業「原子層ヘテロ構造の完全制御成長と超低消費電力・3次元集積デバイスの創出」に参画して、原子層遷移金属ダイカルコゲナイドの気相成長とデバイス応用に関する研究を行う。
応募資格 採用時において博士号取得後7年以内であること同区分での雇用歴が5年未満であること


募集人員 1名
給与 時給制 2200円、2350円、2500円 (当初規程により決定)
雇用期間 平成30年4月1日~平成31年3月31日
試用期間 有(1ヶ月)
更新可能性の有無 有(以下の基準により、更新することがある)
更新基準及び最長雇用期間 当人の能力、勤務成績、勤務態度、従事している業務の進捗状況、契約満了時の業務量、予算の状況、その他諸事情を踏まえ、更新することがある。
ただし、平成34年3月31日を超えての更新は行わない。
(また、研究所に初めて雇い入れられた日から雇用期間を通算して5年を超えないものとする。)
勤務地 つくば中央第二事業所
勤務時間 週5日、1日7時間45分 (休憩1時間) 標準時間制またはフレックスタイム制、裁量労働制(応相談)
休日 完全週休2日制(土・日)、祝日、年末年始
待遇 当所規程により有給休暇制度、通勤手当制度有り、社会保険完備※
※[週5日]週29時間15分以上、または[週4日]週23時間15分以上で、2ヶ月以上の期間雇用する場合
※上記を満たさない方も、平成28年10月に拡大された次の条件を満たせば加入します。
①週20時間以上、②雇用期間が1年以上見込まれること③月額8.8万円以上④昼間学生でないこと

提出書類 履歴書 本様式にて提出のこと。
博士号取得を証明できる書類、これまでの研究概要、業績リスト(誌上発表、口頭発表、知的財産権、その他)
応募締切 平成30年1月31日(水)
採用者決定次第締切。延長の可能性あり。
選考方法 書類選考および面接試験
採用内定通知 採用内定者のみ採用決定次第速やかに通知する。
問い合わせ先 新材料デバイス集積グループ
入沢 寿史TEL: 029-861-3584
E-Mail:toshifumi1.irisawaaist.go.jp

※@マークは画像に変換しておりますので、ご了承ください。
応募先 〒305-8568 茨城県つくば市梅園1-1-1 中央第2
産業技術総合研究所 ナノエレクトロニクス研究部門
新材料デバイス集積グループ
 入沢 寿史
応募方法 電子化した提出書類を問い合わせ先メールアドレスまで送付。
履歴書の取り扱いについて 提出していただいた書類(履歴書等)は、採用審査の用途に限り使用されます。漏洩することのないよう厳重に管理され、選考業務を担当する職員のみに参照を許可します。なお、履歴書等は返却いたしません。不採用者の履歴書等は、不採用者の履歴書等は、当所規程に則り除却致します。
備考  

連絡先
このページについてのお問い合わせは aist-keiyakubosyu-hp-ml@aist.go.jp までお願いします。
※ 本募集内容に関するご質問は、それぞれの問い合わせ先の担当者までお願いします。
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