流動層CVD法によるSi₃N₄微粒子のAlN被覆

　一次粒子径が0.76μmの、微粒子を回転振動篩で転動自己造粒して凝集体を作製し、各種流動層型反応器を用いて、AlCl₃とNH₃との気相化学反応で凝集体へAlNを析出させることにより、Si₃N₄微粒子をAlNで被覆した。 凝集体内部のAlN分布をEPMAで分析した結果、反応温度とガス線速度が適度に低い場合、凝集体直径が小さい程、ほぼ均一な析出分布が得られた。