炭酸ガスレーザーで合成した炭化ケイ素-窒化ケイ素複合超微粒子の²⁹SiマジックアングルスピニングNMRとESRによる構造解析

　CO₂レーザーで合成した炭化ケイ素-窒化ケイ素複合粒子（SiC-Si₃N₄）の構造をマジックアングルスピニング核磁気共鳴（MAS-NMR）と電子スピン共鳴（ESR）によって調べた。 シリコン（Si）原子の周りの構造は窒素を導入することで変化した。 シリコン原子のまわりの炭素原子は窒素によって置換され、窒素量が多くなるにしたがって順次窒素リッチな配位が増加した。 窒素含量の低い複合粒子は主として固溶した窒素を含むベータSiC相からなっていた。 窒素原子は一部ベータSiC微結晶中に存在し、一部は粒子内の粒界に存在する。 ベータSiC微結晶中では窒素は4個のSiに囲まれた4配位として存在し、粒界相では3個のSiと結合した3配位で存在する。 高窒素含量の粒子はSiC，Si₃N₄アモルファス相からなり、それぞれの量は窒素量によって変化した。