流動層CVD法によるSi₃N₄微粒子のAlN被覆

　これまで，凝集体流動層を用いた複合セラミックス微粒子の合成については，Si₃N₄-TiNおよびAl₂O₃-TiO₂系複合微粒子（Kobata et al., 1990）が試みられている． それによると，付加成分の析出分布は反応温度とガス分散法に依存するとしているが，実測例は極めて少ない．
　本研究では，市販のSi₃N₄微粒子を流動化に適した大きさに造粒して凝集体を作製し，流動層でAlCl₃とNH₃の気相反応により凝集体にAlNを析出させ，Si₃N₄微粒子をAlNで被覆した． その反応操作のため各種のガス分散板形状を持った流動層型反応器を考案し，反応温度，ガス線速度および凝集体直径が凝集体内部のAlN析出分布に与える影響を検討した．