ヅンカンラン岩を原料としたSiCの合成

　ヅンカンラン岩の高度利用の一つには木炭チャーを用いたSiCの合成が考えられる。 これは通常、不活性雰囲気の中で1500℃以上の高温下で合成される。 本研究はこれに対して真空系を利用することによってより低温域でも合成され得ることを考え、この場合の最適条件の探索を行った。 現在までにこれに関し、次のような知見が得られたので報告する。 SiCの生成は高温下であるほど良い事が分った。 また真空系を利用することによって低温で合成することを目標にした今回の実験では系内のCOガス圧がSiCの生成に大きく影響していることが判明した。 それは原料中のマグネシウムが反応系から多く除かれるほどSiCの生成が良く、これはCOガス圧が高いほど良かった。