集積回路に用いられる材料、デバイス、作製プロセス、設計、および解析評価に関するコア技術を創出し、大規模データを利活用するための低消費電力メモリ・ロジック回路の開発、三次元集積化を先導するとともに、AIチップ等の集積回路設計技術、非ノイマン型情報システム、非連続な技術革新をもたらす量子コンピューティングに向けたシリコン量子デバイスの創成にも取組んでいます。
また、変種変量生産に適した製造技術（ミニマルファブ）やマイクロ電子機械システム（MEMS）、超伝導検出器に関するコア技術開発等を通じて、社会ニーズに対応する各種高機能デバイスの実現、実用化を進めています。
これらの研究開発を推進するため、共用利用も可能なCMOS試作ライン、超伝導デバイス製造ライン（CRAVITY）、MEMSファウンドリー、ミニマルファブラインを運用しています。
当部門は、これらの成果の産業界や社会への橋渡しを実行し、わが国の半導体関連産業等の競争力を強化し、サイバーフィジカルシステムの高度化に貢献していきます。
更新情報
| 2024年07月5日 | 受賞 | 村田博雅研究員が安藤博記念学術奨励賞を受賞しました。
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| 2023年12月5日 | 受賞 | 高木 秀樹首席研究員が第71回電気科学技術奨励賞を受賞しました。
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| 2023年3月28日 | 受賞 | 岡 博史研究員がシリコン材料・デバイス（SDM）研究会 令和4年度若手優秀発表賞を受賞しました。
タイトル：極低温動作MOSFETのクーロン散乱移動度に対するバンド端準位の影響 |
| 2023年3月22日 | 受賞 | 右田 真司総括研究主幹、太田 裕之研究グループ長、浅沼 周太郎主任研究員、森田 行則主任研究員、鳥海 明教授(東大)が第44回（2022年度）応用物理学会論文賞を受賞しました。
タイトル：Accelerated ferroelectric phase transformation in HfO2/ZrO2 nanolaminates 詳細はこちらから |
| 2022年12月6日 | 受賞 | エレクトロニクス･製造領域企画室(兼:システマティックマテリアルズデザイングループ)の齊藤雄太主任研究員が第19回 日本金属学会村上奨励賞を受賞しました。
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| 2022年12月5日 | プレスリリース | 東京大学と牧野孝太郎 主任研究員らの共同研究の成果が、東京大学からプレスリリースされました。
新しい相変化材料を用いた低損失不揮発光位相器を開発 ―シリコン光回路を用いた深層学習や量子計算への応用に期待 ―（ JST CRESTのウェブサイトにも掲載） |
| 2022年6月21日 | 学会発表 | 2022/6/14-19開催の国際会議2022 Symposia on VLSI Technology and Circuitsで岡博史研究員が発表しました。
タイトル：Effect of Conduction Band Edge States on Coulomb-Limiting Electron Mobility in Cryogenic MOSFET Operation 詳細はこちらから |
| 2022年6月14日 | 受賞 | 2022/6/6-9開催の国際学会New Diamond and Nano Carbon2022で松前貴司研究員の発表がYoung Scholar Awardを受賞しました。
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| 2022年3月22日 | プレスリリース | 複数のAIアクセラレータを搭載した実証チップ「AI-One」の動作を確認
―従来比45％以下の短期間で低コストのAIチップ設計・評価が可能に―
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| 2022年3月15日 | 学会発表 | 2022/3/22-26開催の第69回応用物理学会春季学術講演会で、畑山祥吾 (産総研特別研究員)の発表が［注目講演]に選出されました。 タイトル：Hf-O-Te系アモルファス薄膜の組成制御によるセレクタ機能の発現 詳細はこちらから |
| 2022年2月18日 | プレスリリース | 高感度・広帯域計測が可能な低消費電力磁気センサーを開発 − 磁気インピーダンス素子に最適なセンシング回路により電力効率が大幅に向上 − |
| 2022年1月26日 | 受賞 | 超伝導デバイス研究グループの石塚知明テクニカルスタッフが、令和３年度の文部科学省ナノテクノロジープラットフォーム「技術スタッフ表彰・技術支援貢献賞」を受賞しました。
タイトル：産総研で開発した装置による技術支援（微細構造解析PF） 詳細はこちらから |
| 2021年11月19日 | 受賞 | 魯 主任研究員および張 主任研究員がThe 7th International Conference on Nanomanufacturing(Nov. 17-19, 2021)で、Best Paper Awardを受賞しました。
タイトル：Design and Fabrication of Submicron Gaps for Au Nanofluid Enhanced Thermionic Emission Devices
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| 2021年10月21日 | 受賞 | 2021年10月14日（木）に開催された、エレクトロニクス・製造領域 次世代エレクトロニクス・製造技術討論会
-10年後の産総研の看板研究を目指して-
において、デバイス技術研究部門の加藤公彦研究員が領域長賞を受賞しました。 ・加藤公彦（先端CMOS技術研究グループ） “低消費電力集積回路に向けたシリコントンネル電界効果トランジスタ” 詳細はこちらから |
| 2021年10月7日 | 成果発表 | NEDO IoT横断プロジェクト 成果報告が公開されました。 |
| 2021年9月18日 | お知らせ | オンラインイベント【産総研公式】第２回 さんそうけん☆サタデー 〜あつまれ！科学フレンズ〜#人工知能に秋永総括研究主幹が出演しました。 |
| 2021年8月25日 | 成果発表 | 東北大学と安藤 淳 研究部門付らの共同研究の成果が、東北大学からプレスリリースされました。 厚さわずか２ナノメートルの半導体極薄トランジスタで分子認識に成功！ ― 医療・環境・生産に特化した分子センサーへの応用に期待 ― （ 東北大学多元物質科学研究所ＨＰにも掲載） |
| 2021年8月5日 | 成果発表 | 成果発表、シリコンスピン量子ビット素子を高速化する集積構造を提案 −演算速度従来比10倍、シリコン量子コンピューターの実現に前進− |
| 2021年5月11日 | 論文発表 | Applied Physics Express （APEX）に掲載された右田真司、他による研究成果の論文が、APEX編集運営委員会により、"Spotlights"論文に選ばれました。 "Accelerated ferroelectric phase transformation in HfO2/ZrO2 nanolaminates" S. Migita, H. Ota, S. Asanuma, Y. Morita, and A. Toriumi, Appl. Phys. Express 14 051006(2021) 次世代不揮発性メモリや人工知能ハードウエアの実現のために最近注目されている（Hf.Zr）O2強誘電体を高品質で製造するためには、HfO２原子層/ZrO2原子層の積層構造が重要であることを世界で初めて示しました。 詳細はこちらから |
| 2021年4月13日 | 受賞 | 浅井栄大 主任研究員が5th IEEE Electron Devices Technology and Manufacturing (EDTM) Conference 2021で、Best Paper Award (3rd Place)を受賞しました。
タイトル： Development of Integrated Device Simulator for Quantum Bit Design: Self-Consistent Calculation for Quantum Transport and Qubit Operation 詳細はこちらから |
| 2021年3月8日 | 論文発表 | 齊藤雄太主任研究員と東北大学等の共同研究の成果がScientific Reportsに掲載されました。
タイトル： Dimensional transformation of chemical bonding during crystallization in a layered chalcogenide 詳細はこちらから （本件は、3/9に東北大学からプレスリリースされました。） |
| 2021年3月1日 | お知らせ | システマティックマテリアルズデザイングループが第２事業所2-12棟に移動しました。 |
| 2021年2月9日 | 受賞 | 村田博雅リサーチアシスタントが育志賞を受賞しました。
タイトル：金属誘起層交換による多層グラフェン合成と薄膜二次電池応用 詳細はこちらから |
| 2021年2月9日 | 受賞 | 濱口総志外来研究員及び堀洋平主任研究員が主導した国際規格ISO/IEC 20897-1:2020が、情報処理学会 情報企画調査会より、「国際規格開発賞」を受賞しました。
詳細はこちらから |
| 2021年1月13日 | お知らせ | NEDO「IoT推進のための横断技術開発プロジェクト」スクール・ワークショップが開催されます。開催日：2021年2月9日、10日（参加費無料、事前登録制） 詳細はこちらからご覧ください。 |
| 2020年12月8日 | プレスリリース | 2nm世代向けの新構造トランジスタの開発 −積層型のSi/Ge異種チャネル相補型電界効果トランジスタによる大幅な集積化向上− |
| 2020年10月27日 | 受賞 | 2020年10月19日（月）に開催された、エレクトロニクス・製造領域 若手発表会
において、デバイス技術研究部門の２名が領域長賞を受賞しました。 ・牧野孝太郎（システマティックマテリアルデザイン研究グループ） “相変化材料の赤外光・テラヘルツ波オフ゜トエレクトロニクス応用 ” ・岡博史（新原理デバイス研究グループ） “シリコン量子コンヒ゜ューターの性能を制限するノイス゛発生源の特定 ” 詳細はこちらから |
| 2020年10月7日 | お知らせ | 新原理コンピューティング研究センターの設立(2020/10/1)にあたり、量子システムエンジニアリンググループと量子デバイスプロセス・制御グループが、新センター所属に異動しました。 |
| 2020年9月16日 | 受賞 | 松前貴司 研究員が、the 2020 ECS Bruce Deal & Andy Grove Young Author Award を受賞しました。
タイトル：Direct Bonding of an Electroformed Cu Substrate and Si Chip at Room Temperature under Atmospheric Conditions 詳細はこちらから |
| 2020年9月2日 | 受賞 | 2020年9月、日暮栄治 研究グループ長、東颯人 リサーチアシスタント（東京大）、山本道貴 リサーチアシスタント（東京大）、松前貴司 研究員、倉島優一 主任研究員、高木秀樹 総括研究主幹が、第11回集積化MEMSシンポジウムの発表で、優秀論文賞を受賞しました。
タイトル：チタン薄膜を用いたウェハ常温接合−キャップ層とナノシリコン層の導入− 詳細はこちらから |
| 2020年8月12日 | 表彰 | 秋永総括研究主幹が、2020年度応用物理学会フェローとして表彰されることになりました。
タイトル：機能性酸化物デバイスの研究開発とナノエレクトロニクス研究推進 詳細はこちらからご覧ください。 |
| 2020年7月1日 | 受賞 | 2020年6月、山本道貴 リサーチアシスタント（東京大）、松前貴司 研究員、倉島優一 主任研究員、高木秀樹 総括研究主幹、日暮栄治 研究グループ長が、2019 International Conference on Electronics Packaging (ICEP)の発表で、JIEP Poster Awardを受賞しました。
タイトル：Wafer scale Au-Au surface activated bonding using atmospheric-pressure plasma 詳細はこちらから |
| 2020年6月14日 | 学会発表 | 6/14-19開催の国際会議「2020 Symposia on VLSI Technology and Circuits」にて岡博史研究員が発表しました。
タイトル：Toward Long-coherence-time Si Spin Qubit: The Origin of Low-frequency Noise in Cryo-CMOS 詳細内容はこちらからご覧ください。 |
連絡先
国立研究開発法人 産業技術総合研究所 デバイス技術研究部門
〒305-8568 茨城県つくば市梅園1-1-1 つくば中央第2
電話：029-861-3483 Eメール：