先端半導体製造技術研究開発パイロットライン導入装置一覧

リソグラフィー関連装置

装置名称	メーカー・型式	用途
ArF液浸露光装置	株式会社ニコン S635	複数回の露光を組み合わせてパターン縮小を行う多重露光プロセスに対応した装置。
ArF液浸露光装置用フォトレジスト塗布・現像装置	東京エレクトロン株式会社 LITHIUS Pro Z	ナノシートトランジスタ製造工程中のパターニング工程における、フォトレジストの塗布・現像装置。ナノインプリントリソグラフィに対応した自己組織化リソグラフィ対応モジュールも搭載。先端光リソグラフィ、電子線リソグラフィ、NIL、DSA等、多様なリソグラフィ技術に対応。
多層マスク材成膜装置	アプライドマテリアルズジャパン株式会社 Producer GT3	ナノシートトランジスタの細線ナノシートや微細ゲート電極パターンを形成するダブルパターニング工程（SADP）で用いる多層マスク膜を気相成長（CVD）する装置。
電子線描画装置	株式会社エリオニクス ELS-150F	超微細加工を実現する加速電圧50kV以上の電子線によりナノメートルオーダーの回路パターン描画が可能な300㎜電子線描画装置。

ナノシート構造形成装置

装置名称	メーカー・型式	用途
シリコンゲルマニウム膜及び絶縁膜用ドライエッチング装置	東京エレクトロン株式会社 Tactras™	高密度・パルスプラズマ源を用いたマルチチャンバ・トライエッチングシステム。
シリコンゲルマニウム化学気相成長装置	アプライドマテリアルズジャパン株式会社 EpiPrime	化学気相成長法を用いて、シリコンゲルマニウム膜、および、シリコン膜を交互に積層させたエピタキシャル成長させる、シリコン基板表面が限定的に表れている領域に対して、不純物を高濃度にドーピングされたN型シリコン膜およびP型シリコンゲルマニウム膜を選択成長させる、独立した３つの成長チャンバから構成される装置。それら成長膜の下地表面から酸素および炭素を除去して、下地表面を清浄化するための前処理チャンバ有り。
SiGe及びマルチゲート酸化膜対応Wet洗浄装置	株式会社SCREENセミコンダクターソリューションズ SU-3300	SiGe膜選択エッチング後の残渣除去、各種表面正常化のための洗浄作業、酸化物、有機物・金属汚染除去等の洗浄作業、ベベル部の洗浄、裏面洗浄、その他、各種WET洗浄処理を行うマルチ用途複合洗浄装置。＜主な適用工程＞ Si/SiGeトレンチエッチング後洗浄トレンチ埋込酸化膜リセスエッチスペーサ絶縁膜成長前処理洗浄 n-Siエピ膜選択成長前処理洗浄 p--SiGeエピ膜選択成長前処理洗浄ダミーゲート絶縁膜除去エッチ ALD-HK/WFM成長前処理洗浄コンタクトエッチ後洗浄
SiGe膜選択エッチング装置	東京エレクトロン株式会社 Certas™	ナノシートのチャネル作製過程で、SiとSiGeの積層多層膜中のSiGe層のみを選択的に気相ケミカルエッチング除去する工程。シリコン酸化物もしくは窒化膜のみを選択的に気相ケミカルエッチング除去する工程。

ゲートスタック構造形成装置

装置名称	メーカー・型式	用途
高誘電率絶縁膜原子層成長装置	日本エー・エス・エム株式会社 Eagle-XP4 ｗ/ High-l Pulsar module	GAAFETのゲート絶縁膜として、原子層堆積法（Atomic Layer Deposition: ALD）で、高誘電率金属酸化膜（HfO₂やAl₂O₃）を成長。
絶縁膜メタルアニール用熱処理装置	アプライドマテリアルズジャパン株式会社 Vantage	チャンバ内に雰囲気ガスを導入し、300mmウェハの温度を瞬間的に上昇させ、熱処理時間を秒単位で制御し、また瞬間的に温度を下げる、急速熱処理法と呼ばれるプロセスを行う機構を持つ。GAAFETのチャネル上に形成した高誘電率ゲート絶縁膜や、金属ゲート電極の熱処理等を行う。
低温SiO₂/SiN原子層成長装置	日本エー・エス・エム株式会社 XP8 PE ALD w/DCM:HQ SiO2 & DCM: SiN	ナノメートルスケールの凹凸パターンが形成された300mmのシリコンウェハ（シリコン基板）上に、シリコン酸化膜（SiO₂）およびシリコン窒化膜（SiN）を原子レベルの膜厚制御性で形成する原子層成長（ALD）装置である。多重露光プロセスのスペーサー膜やGAAFETのゲートスペーサやインナースペーサー膜としても用いる。
タングステン、ポリシリコンおよびシリコン酸化膜用CMP装置	株式会社荏原フィールドテック F-REX300X	ナノシートトランジスタ製造工程中のタングステンゲート電極のCMP工程、周期的フィン構造のダミーゲートであるポリシリコン膜のCMP工程、周期的トレンチ構造のSiO₂膜のCMP工程によるのSiN膜頭出し等の、精密な研磨工程およびCMP後洗浄工程を行う。
低誘電率薄膜原子層成長装置	東京エレクトロン株式会社 TEL INDY PLUS Irad	ナノシートトランジスタの3次元構造を製造するための犠牲層や、積層されたナノシートチャネル間のインナースペーサー等に使用。
金属原子層成長装置	アプライドマテリアルズジャパン株式会社 Endura 3 (E2CC仕様)	シリコンチャネルに対して、ゲート絶縁膜を介して、仕事関数（ワークファンクション）の異なるメタルゲート金属薄膜を配することで、シリコンのエネルギーバンドの曲げ具合を制御し、GAAFETの閾値電圧を調整するためのメタルゲート金属の極薄膜を形成。
電極配線金属原子層成長装置	ラムリサーチ合同会社 ALTUS	ナノシートトランジスタにナノメートルスケールの導体部（電極）の形成。
３次元構造評価装置	NOVA Ltd. i550	ナノシートトランジスタ製造工程中のCMP工程前後において、周期的な立体構造中のCMP研削対象膜厚を光学的に非破壊で測定。

お問い合わせContact

事務局先端半導体製造技術コンソーシアム事務局

（国立研究開発法人産業技術総合研究所　エレクトロニクス・製造領域連携推進室）

E-mailM-asma-secretariat-ml at aist.go.jp（送信時はatを@に置き換えてください）

→エレクトロニクス・製造領域ページへ