高周波・光半導体デバイス技術研究グループ
高周波・光半導体デバイス技術研究グループでは、プラズマを利用した窒化物半導体成膜技術を用いて、2030年代の6G通信の社会実装を目指し、低環境負荷となるグリーン
サステナブル半導体による高周波トランジスタやフルカラーマイクロLED等の開発に取り組んでいます。さらに、高速不揮発メモリデバイスや赤外線受光素子、異常検知技術
の開発にも取り組んでいます。
最近の研究成果
(1) Takahiro Gotow, Tsutomu Sonoda, Tokio Takahashi, Hisashi Yamada, Toshihide Ide, Reiko Azumi, Mitsuaki Shimizu, Yosuke Tsunooka, Shota Seki, Kentaro Kutsukake, Toru Ujihara,
"Modeling and analysis of undoped GaN grown in a horizontal laminar flow MOCVD reactor",
Materials Science in Semiconductor Processing, 188, (2025) 109258.
(2) Shin-ichiro Gozu,
"Transition selective photoluminescence by using frequency-domain measurements",
Japanese Journal of Applied Physics, 64, (2025) 022006.
(3) Ryoichi Akimoto,
"Electron beam induced multi-wavelength lasing in CdSe quantum dot lasers",
Journal of Applied Physics, 136(17), (2024) 173103.