カスタムデバイス技術研究グループ
カスタムデバイス技術研究グループでは、独自の成膜技術やプロセス技術を用いて、マルチビーム半導体検査装置等で必要となる次世代電子放出
デバイスや、圧倒的な省エネ性能・高書換耐性をもつ不揮発強誘電体トランジスタ等のオリジナルで革新的なカスタムデバイスの開発に取り組んで
います。
最近の研究成果
(1) Ryota Iwase, Ryota Akaike, Hiroki Yasunaga, Takao Nakamura, Masayoshi Nagao, Katsuhisa Murakami, Hideo Miyake,
"230 nm electron-beam excited light source with AlGaN/AlN multiple quantum wells on face-to-face annealed sputter-deposited AlN template",
Journal of Crystal Growth, 660, (2025) 128142.
(2) Hidetaka Shimawaki, Masayoshi Nagao, Katsuhisa Murakami,
"Photoassisted electron emission from planar-type electron source based on graphene/oxide/silicon structure",
Journal of Vacuum Science & Technology B, 42(6), (2024) 063205.
(3) Hiromasa Murata, Takamitsu Ishiyama, Katsuhisa Murakami, Masayoshi Nagao, Kaoru Toko,
"Multilayer Graphene Strips on Insulators Formed by Layer Exchange for Applications as Interconnects",
ACS Applied Nano Materials, 7(18), (2025) 128142.