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先進パワーエレクトロニクス研究センター

ウエハプロセスチーム

研究概要

 4H-SiC単結晶成長から切断・研磨までの技術開発と、それらの一貫プロセスによる最適化、低コスト化、高能率化、高品質化、大口径対応化を目指した研究を行っています。 また、経済産業省プロジェクト「低炭素社会を実現する新材料パワー半導体プロジェクト」の研究を担っています。

図1 大型昇華炉と成長させた4H-SiCバルク単結晶

 SiC単結晶を育成する大型昇華炉と成長した単結晶を図1に示します。昇華法による大口径高品質4H-SiC単結晶の成長技術、液相からの4H-SiC単結晶成長技術、昇華法によるAlN単結晶成長などの技術の開発を行っています。
大型昇華炉と成長させた4H-SiCバルク単結晶大型昇華炉と成長させた4H-SiCバルク単結晶
図1 大型昇華炉と成長させた4H-SiCバルク単結晶

図2 放電加工による4H-SiC単結晶の高能率高品質切断の例

 図2は放電加工による4H-SiC単結晶の切断例を示しています。ダイアモンドに近い硬度を持つSiCを、単結晶状態から切断、加工、研磨しウエハの形状に仕上げるプロセスを、短時間、高精度、低価格、低環境負荷で行う技術の開発を進めています。
放電加工による4H-SiC単結晶の高能率高品質切断の例放電加工による4H-SiC単結晶の高能率高品質切断の例
図2 放電加工による4H-SiC単結晶の高能率高品質切断の例
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