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先進パワーエレクトロニクス研究センター

SiCデバイスプロセスチーム

研究概要

  • 600V,1200Vクラス大容量SiC-SBDならびにSiC-MOSFETの量産技術の開発、及び応用機器・システム検討に供するためのSiCデバイスの小規模量産を担当 


  • 産総研つくば西事業所内に、SiC研究開発専用クリーンルーム約1500uを保有


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