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先進パワーエレクトロニクス研究センター

SiCデバイス設計チーム

研究概要

 SiCデバイス設計チームでは、これまでに研究されてきた高性能なSiC-SBD、SiC-IEMOSFETの更なる特性改良を進めるとともに、3インチ試作ラインにて量産化に向けたデバイス技術開発を行っている。また、試作ラインで作製されたデバイスサンプルを大学、企業へ展開し、各アプリケーションから要求される特性を達成するために構造・プロセスの改善を進めている。


       




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