環境・エネルギー分野

先進パワーエレクトロニクス研究センター

研究チーム紹介

新機能材料チーム

チーム長
児島一聡

　SiC、窒化物、ダイヤモンドといったワイドギャップ半導体材料のパワーデバイス応用を念頭に置いたエピタキシャル成長技術、その技術をデバイス構造作製に応用したインプロセスエピ成長技術並びに材料評価に関する研究開発を行っています。

新機能デバイスチーム

チーム長
牧野俊晴

　SiC・ダイヤモンド等のワイドバンドギャップ半導体特有の性質を利用し、新しい機能を持ったパワーデバイス・耐環境デバイス・量子センサーデバイス等の技術開発を行っています。

ダイヤモンドウェハチーム

チーム長
山田英明

　ダイヤモンド半導体を実用化する上で鍵となる、高品質かつ大型（cm超～インチ）ダイヤモンドウェハ作製技術や応用技術の研究開発を実施しています。

ウェハプロセスチーム

チーム長
加藤智久

　SiCや窒化物などワイドギャップ半導体バルク単結晶の成長技術、高硬脆単結晶材料の切断研磨加工技術とそれらを活用したウェハ一貫加工プロセス技術、結晶評価技術の研究開発を行っています。

パワーデバイスチーム

チーム長
原田信介

　ワイドギャップ半導体パワーデバイスの本格的実用化へ向け、企業共同研究を中心に高性能・高信頼パワーデバイス、及び新規基盤技術の創出を目指した研究開発を行っています。

パワー回路集積チーム

チーム長
佐藤弘

　ワイドギャップ半導体の社会普及に向けて、ディスクリートパーケージ、パワーモジュール、高耐熱部品内蔵モジュール、回路技術（主回路技術、ゲート回路技術）などの研究開発を行っています。

パワーデバイス応用設計チーム

チーム長
黒岩丈晴

　公的プロジェクトの成果を受け継いだSiCデバイス・モジュール技術を用いて新たな応用分野の開拓を推進します。また、次世代パワー半導体材料・デバイス評価解析プラットフォーム構築を目的とした新規評価解析技術開発や取得した評価解析情報のデータベース化を進めます。

量産技術チーム

チーム長
寺野昭久

　オープン・イノベーション・プラットフォームであるTPEC（Tsukuba Power Electronics Constella-tions）等での共同研究を主体に、 TIAパワーエレクトロニクスステーションと協同してワイドギャップ半導体によるパワーデバイスの量産化技術を開発・運用し、各種応用先への試供を行っています。