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先進パワーエレクトロニクス研究センター

研究チーム紹介

ウェハプロセスチーム


チーム長
加藤 智久

 ワイドバンドギャプ半導体単結晶成長技術、高硬脆材料の切断研磨加工技術、およびそれらの一貫したプロセスによる最適化技術、 各種プロセスに伴う微細構造変化に関する評価技術などの研究を行っています。

エピタキシャル成長チーム


チーム長
児島 一聡

 SiCバルク基板上へのホモエピタキシャル成長技術、デバイスチームとの連携で複雑なデバイス構造作製のためインプロセスでのエピタキシャル成長技術の研究開発を行っています。

SiCパワーデバイスチーム


チーム長
田中 保宣

 SBD、PN接合ダイオード、接合型FET、MOSFET、IGBTなどのSiCパワーデバイスの高耐圧・大容量・低損失等の高性能化、高信頼度化のための技術開発を実施しています。

SiCデバイスプロセスチーム


チーム長
原田 信介

 600V,1200Vクラス大容量SiC-SBDならびにSiC-MOSFETの量産技術の開発、及び応用機器・システム検討に供するためのSiCデバイスの小規模量産を担当しています。

SiCデバイス設計チーム


チーム長
坂本 邦博

 超低損失・高信頼性600V,1200Vクラス大容量SiC-SBDならびにSiC-MOSFETの開発を担当しています。    
   

GaNパワーデバイスチーム


チーム長
沈旭強

 SiCとともにワイドギャップ半導体として期待されるGaNの結晶成長、デバイス開発を担当しています。

ダイヤモンド材料チーム


チーム長
竹内 大輔

 究極のワイドバンドギャップ半導体材料として、ダイヤモンド単結晶ウェハとその評価技術の研究開発を行っています。

ダイヤモンドデバイスチーム


チーム長
牧野 俊晴

ダイヤモンド半導体独自の性質を利用した新しい動作原理に基づく 電子デバイスの開発を行っています。

パワーデバイス基礎チーム


チーム長
米澤 喜幸

10KVを超えるSiC-IGBT等の超高耐圧パワーデバイスを研究しています。

パワー回路集積チーム


チーム長
山口 浩

 ワイドギャップ半導体を用いた電力変換器の設計技術等(回路技術・実装技術・モジュール化技術・シミュレーション技術など)について、研究を進めています。

パワーエレクトロニクス応用チーム


チーム長
坂本 邦博

SiCパワーデバイスの実装技術の開発と、SiCパワーエレクトロニクスの幅広い電力変換分野における応用開拓を進めています。 
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