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先進パワーエレクトロニクス研究センター

プレスリリース
 産総研のプレスリリースで発表された先進パワーエレクトロニクス研究センターの研究成果一覧です。産総研公式サイト「研究成果発表データベース(RRPDB)」にリンクしています。「研究成果発表データベース」より当センターへのウェブサイトへは、ウェブブラウザの戻るボタンをご使用下さい。

プレスリリース記事一覧


発表・掲載日 2017年12月05日
タイトル 1200ボルトクラスのショットキーバリアダイオード内蔵SiCトランジスタを開発


参照記事:1200ボルトクラスのショットキーバリアダイオード内蔵SiCトランジスタを開発
成果元 先進パワーエレクトロニクス研究センター  SiCパワーデバイスチーム
チーム長:原田 信介
発表・掲載日 2017年01月26日
タイトル パワーデバイス内部の電界を正確に計測することに成功


参照記事:パワーデバイス内部の電界を正確に計測することに成功
成果元 先進パワーエレクトロニクス研究センター  ダイヤモンドデバイス研究チーム
チーム長:牧野 俊晴
発表・掲載日 2016年8月22日
タイトル 世界初!反転層型ダイヤMOSFETの動作実証に成功


参照記事:世界初!反転層型ダイヤMOSFETの動作実証に成功
成果元 先進パワーエレクトロニクス研究センター  ダイヤモンドデバイス研究チーム
山崎聡招へい研究員、加藤宙光主任研究員
参照記事:高昇華レートを実現するSiCバルク単結晶成長用粉末原料を開発
発表・掲載日 2013年12月03日
タイトル 高昇華レートを実現するSiCバルク単結晶成長用粉末原料を開発
− SiCバルク単結晶成長時間の大幅短縮が可能 −

参照記事:高昇華レートを実現するSiCバルク単結晶成長用粉末原料を開発
成果元 先進パワーエレクトロニクス研究センター  ウェハプロセスチーム
チーム長:加藤智久
発表・掲載日 2013年09月25日
タイトル 16 kVの高電圧に耐えるSiCパワー半導体トランジスタを開発
− 低炭素社会に向けた電力の有効利用、省エネルギー化に道筋 −

参照記事:16 kVの高電圧に耐えるSiCパワー半導体トランジスタを開発
成果元 先進パワーエレクトロニクス研究センター  超高耐圧デバイスチーム
チーム長:米澤喜幸

2013以前のプレスリリース

2012年 全発表一覧 (先進パワーエレクトロニクス研究センター)
2011年 全発表一覧 (先進パワーエレクトロニクス研究センター)
2010年 全発表一覧 (先進パワーエレクトロニクス研究センター)
2009年 全発表一覧 (エネルギー半導体エレクトロニクス研究ラボ)
2008年 全発表一覧 (エネルギー半導体エレクトロニクス研究ラボ)
2007年 全発表一覧 (パワーエレクトロニクス研究センター)
2006年 全発表一覧 (パワーエレクトロニクス研究センター) 
2005年 全発表一覧 (パワーエレクトロニクス研究センター)
2004年 全発表一覧 (パワーエレクトロニクス研究センター)
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