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先進パワーエレクトロニクス研究センター

研究センターの概要

社会的背景

 近年、エネルギー需要の急激な伸びと将来的な原油の供給不安のため、原油が高騰しており、また、京都議定書に示されているように地球温暖化防止のため温室効果ガスの大幅な低減が急務となっています。一方、世界全体のエネルギー消費とその電力化率は、今後ますます上昇すると予測されており、エネルギー分野では、地球温暖化対策としての低炭素社会の実現に向けた取り組みが重要です。電力エネルギーを自在に制御して高効率で使用するうえで、エレクトロニクスを電力技術へ適用していくことが極めて大きな効果をもたらすと期待されています。一方、素子の低損失化や高信頼化に代表されるより厳しいエネルギー分野特有の技術開発が必要です。これらの観点から、経済産業省の技術戦略マップや省エネルギー戦略において、省エネルギーデバイス技術が重点項目として取り上げられており、エレクトロニクスと電力エネルギー制御の技術融合は、今後産総研が取り組むべき大きな技術課題です。中でも、SiCに代表されるワイドギャップ半導体を活用した先進パワーエレクトロニクスは、最も期待されるアプローチです。 本研究センターでは、電力エネルギーにおける省エネルギー技術と新エネルギーの技術導入のための高効率電力変換技術等、電力エネルギー制御・有効利用のために、炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)等のワイドギャップ半導体によるパワースイングデバイスおよび電力変換器の技術確立と実証を目的とします。そのための基盤技術開発を行うと共に、当所のコア技術を生かして我が国の関連技術開発のイノベーションハブとして機能することを目指します。特に、SiC半導体の電力エネルギー制御への活用を中心課題に据え、電力を処理対象とするエレクトロニクス技術分野の確立を目指します。
半導体結晶からインバータまで



先進パワーエレクトロニクス研究とは







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