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先進パワーエレクトロニクス研究センター

センター長あいさつ

 



研究センター長  奥村 元

 私ども先進パワーエネルギー研究センターは、ワイドギャップ半導体によるパワーデバイス(電力素子)とその機器応用の研究を進め、高機能電力変換技術を確立することをミッションとして平成22年4月1日に設立されました。

 独立行政法人 産業技術総合研究所(産総研)は、旧国研時代の1970年代後半にSiCやGaNといったワイドギャップ半導体の材料研究を開始し、1990年代後半からこれらの新規半導体の基盤技術確立を目的とした国家プロジェクトで主導的役割を担ってきました。2001年の産総研発足と時を同じくする旧パワーエレクトロニクス研究センターの設立より、基盤研究だけでなく、関連技術の実用化を目指した研究も進めてきました。この間、SiC半導体の大口径単結晶成長技術や高品質エピタキシャル成長技術のみならず、SiC及びGaN半導体を用いた低損失パワーデバイス技術や高密度変換器実証などで最先端の研究成果を挙げて来ました。旧パワーエレクトロニクス研究センターの成果を引き継ぎ、2007年にはエネルギー半導体エレクトロニクス研究ラボを設立致しましたが、昨今のグリーンイノベーション推進の気運のもと、当所を中心としたSiCパワーエレクトロニクス関連技術開発への要請が膨らんできました。特に、我が国の技術開発拠点構築を目指した「つくばイノベーションアリーナ」構想が本格化すると共に、SiC関連技術に関する大型企業共同研究、並びに最先端研究開発支援プログラムに代表される大型国家プロジェクトが複数立ち上がることになりました。それらの政策的・技術的動向に適切に対応するべく、産総研は従来のエネルギー半導体エレクトロニクス研究ラボを発展的に解消し、SiC等のワイドギャップ半導体による高機能電力変換技術の確立、並びに関連技術開発のイノベーションハブとして機能することを目標とする新研究センターを設立し、ワイドギャップ半導体を主役にしてエレクトロニクスと電力エネルギー制御の技術融合を推進する「先進パワーエレクトロニクスの研究」を本格化することと致しました。

 これらのミッションを達成するため、センター内には異なる技術領域からなる6チームを新たに設置し、技術開発面のみならずマネージメント体制の整備も進めております。今後、SiC半導体を中心としてウェハから、デバイス、変換器までの一貫研究を研究センター一丸となって遂行していく所存であります。産総研では「持続的発展可能な社会実現への貢献」をミッションとして日々研究を進めており、私どもも自らの研究成果がその目標達成の大きな一里塚となることを目指しています。しかしながら、掲げているミッションは極めて野心的なものであり、皆様方のお力添えなくしては到底達成できるものではないと考えております。皆様方の多大なご指導、ご鞭撻を切にお願い申し上げる次第です。




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