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エネルギー・環境領域
先進パワーエレクトロニクス研究センター

NewTopic 
2021年12月16日   当研究センター・岡本光央主任研究員の研究グループが
  NEパワー・エレクトロニクス・アワード2021の最優秀賞を受賞
 受 賞 
2021年12月12日   GaNとSiCを一体化したハイブリッド型トランジスタを世界で初めて動作実証
  −GaNトランジスタの過電圧脆弱性を解決−
 研究成果 
2021年10月20日   当研究センターの先崎純寿上級主任研究員が令和3年度産業標準化事業表彰の
  国際電気標準会議(IEC)1906賞を受賞   表彰伝達式   表彰状
 受 賞 




更新情報

 2021年12月14日  「NEW TOPIC」「TOPICS」を更新
 2021年11月09日  「NEW TOPIC」「TOPICS」を更新
 2021年10月08日  「NEW TOPIC」「TOPICS」を更新
 2021年08月31日  「NEW TOPIC」「TOPICS」を更新
 2021年07月09日  「NEW TOPIC」「TOPICS」を更新
 2021年06月03日  「NEW TOPIC」を更新
 2021年03月  「TOPICS」を更新
 2020年04月  「組織図と構成メンバー」を更新
 2019年10月08日  「構成メンバーと研究チーム紹介」を更新
 2019年09月17日  「TOPICS」を更新
 2019年09月03日  「組織図と構成メンバー」を更新
 2019年06月14日  「研究チーム紹介」を更新
 2019年05月29日  「大型プロジェクト概要」を更新
 2019年05月09日  「組織図と構成メンバー」「研究チーム紹介」を更新
 2019年03月13日  「研究チーム紹介」を更新
 2018年10月11日  「研究センター紹介」→「先進パワーエレクトロニクス研究とは」を更新
 2018年4月10日  「研究チーム紹介」を更新
 2017年9月12日  「研究チーム紹介」を更新
 2017年6月7日  「組織図と構成メンバー」を更新
 2017年5月25日  「組織図と構成メンバー」「研究チーム紹介」を更新
 2016年8月19日  「研究チーム紹介」を更新
 2016年6月1日  「組織図と構成メンバー」を更新
 2016年4月21日  「組織図と構成メンバー」を更新

TOPICS

2021年9月22日 TDC社、阪大との共同で当研究センター・ダイヤモンドウェハチームの山田英明研究チーム長が精密工学会の技術賞を受賞
関連ページ https://www.jspe.or.jp/activity/awards/
※ ■精密工学会技術賞 JSPE Technology Award の「受賞履歴を見る」をクリック
2021年8月31日 パワー半導体用大口径SiCウェハの高速研磨技術を開発 −高速化が難しかったSiCラッピング加工工程を大幅改善−
関連ページ https://www.aist.go.jp/aist_j/press_release/pr2021/pr20210831_2/pr20210831_2.html
2021年6月25日 小型・集積化につながるダイヤモンド量子センサのスピン情報の電気的読み出しに成功 −量子センサの社会実装を加速する成果−
関連ページ https://www.aist.go.jp/aist_j/press_release/pr2021/pr20210625/pr20210625.html
2021年6月3日 岡本主任研究員、八尾主任研究員らがパワー半導体デバイスとICに関する国際会議 にて最優秀論文賞を受賞
関連ページ https://ispsd2021.com/award.html
2021年5月30日 SiCモノリシックパワーICの開発に成功 −世界初!SiC縦型MOSFETとSiC CMOSをワンチップ集積化−
関連ページ https://www.aist.go.jp/aist_j/press_release/pr2021/pr20210530/pr20210530.html
2021年3月9日 次世代パワエレ用SiCウエハー製造技術開発の大型共同研究を開始 −高品質・低コストを実現する結晶成長・ウエハー量産技術の開発−
関連ページ https://www.aist.go.jp/aist_j/news/announce/pr20210309.html
2021年1月12日 ダイヤモンド量子センサ、室温で感度を維持しつつ計測範囲を低温従来値の100倍に
関連ページ https://www.aist.go.jp/aist_j/press_release/pr2021/pr20210112/pr20210112.html
2020年5月 欧州パワエレ学会PCIMにおいて産総研−住友電気工業の論文が「論文賞」(BPA: best paper award)に決定
受賞決定のお知らせ:添付資料
2019年9月 8月28日〜31日に行われた公益社団法人砥粒加工学会学術講演会 (ABTEC2019) において 先進パワーエレクトロニクス研究センターは、研究公開展示団体を対象とした Best Poster Presentation賞に決定されました。
受賞決定のお知らせ:添付資料1
賞状:添付資料2 
関連ページ:https://www.jsat.or.jp/node/1078
2017年12月5日 1200ボルトクラスのショットキーバリアダイオード内蔵SiCトランジスタを開発  
関連ページ http://www.aist.go.jp/aist_j/press_release/pr2017/pr20171205/pr20171205.html
2017年1月26日 パワーデバイス内部の電界を正確に計測することに成功  
関連ページ http://www.aist.go.jp/aist_j/press_release/pr2017/pr20170126/pr20170126.html
2016年8月22日 世界初!反転層型ダイヤMOSFETの動作実証に成功
関連ページ http://www.aist.go.jp/aist_j/press_release/pr2016/pr20160822/pr20160822.html
2014年5月22日 当所広報誌「産総研TODAY」5月号のResearch Hotlineに当研究センター加藤智久主任研究員
(ウエハプロセスチーム長)の「昇華特性に優れたSiC粉末原料を開発」が掲載されました。  
関連ページ  http://www.aist.go.jp/Portals/0/resource_images/aist_j/aistinfo/aist_today/vol14_05/vol14_05_p15.pdf
2013年12月18日 高昇華レートを実現するSiCバルク単結晶成長用粉末原料を開発  
関連ページ http://www.aist.go.jp/aist_j/press_release/pr2013/pr20131203/pr20131203.html
2013年9月25日 先進パワーエレクトロニクス研究センター超高耐圧デバイスチームは、SiC半導体を用いて、
従来のSi半導体では到達できない16kVという
超高耐圧のパワースイッチング素子SiC-IGBTの試作に成功した。
p型コレクタ層をエピタキシャル成長によって作製するフリップ型の技術、
当センター独自のカーボン面を利用したIE構造等の採用により、超高耐圧と低損失特性を実現した。  
この成果は、内閣府の最先端研究開発支援プログラム(FIRST)
「低炭素社会創成へ向けた炭化ケイ素(SiC)革新パワーエレクトロニクス研究開発
【中心研究者木本恒暢京都大学工学研究科教授】」のもとで達成されたものである。
成果の詳細は2013年12月9-11日、米国ワシントンDCで開催される国際学会IEDM2013で発表される。  
関連ページ http://www.aist.go.jp/aist_j/press_release/pr2013/pr20130925/pr20130925.html
2013年8月19日 内閣府より第11回産学官連携功労者表彰についてプレスリリースがあり、産総研、富士電機、
アルバックが共同で日本経済団体連合会会長賞を受賞することとなった。
事例名は、産学垂直連携・共同研究体「TPEC」の創成。
受賞概要は、SiCカーボン面を利用した独自構造のパワー半導体(MOSFET)を開発し、世界最高の低損失性能を実現し、
この成果を基に次世代パワー半導体製品の開発を加速する民活型・共同研究体
「つくばパワーエレクトロニクスコンステレーション(TPEC)」を設立して、
産学官諸機関参画のもと組織の壁をなくした研究開発及び人材育成を進めていること。
関連ページhttps://www.aist.go.jp/aist_j/topics/to2013/to20130820/to20130820.html 


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