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環境・エネルギー分野環境・エネルギー分野紹介

GaNパワーデバイス研究班


リーダー  清水
メンバー 井手、沈、朴、木内、小林、坂村


 ワイドギャップ半導体材料である窒化物半導体は、絶縁破壊電圧が高い、飽和ドリフト速度が大きいなどの特徴があります。またAlGaN/GaNヘテロ接合に形成される二次元電子ガスは、電子密度が高くかつ移動度が高いという特徴があります。そのため、この二次元電子ガスをチャンネルとして用いれば、抵抗が低く、高速動作が可能で、耐圧の高いトランジスタやダイオードなどのパワー電子デバイスを作成することが可能です。
 そのため本チームでは、窒化物半導体の結晶成長装置や、半導体プロセス技術、数値解析(シミュレーション)などを用いて、パワーデバイスの開発を行っています。

     

研究課題


 1.窒化物半導体材料結晶成長技術


 2.GaNパワーデバイスの開発


  2−1.GaN系半導体素子の数値解析


  2−2.表面保護膜を用いた電流コラプスの低減



  2−3.AlGaN/GaNヘテロ接合電界効果トランジスタのノーマリオフ化



 3.微細加工技術の導入による素子の高速化と低抵抗化

 研究内容・成果等


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