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WHAT’S NEW 更新履歴
パワーエレクトロニクス研究センターは4月から、「エネルギー半導体エレクトロニクス研究ラボ」に変わりました。 (2008.4.01)
・学会情報を更新 (2008.02.22)
・研究内容−ウエハ・評価チーム−を更新 (2008.2.20)
・メンバー表を更新 (2008.01.24)
・ウエハ・評価チーム、GaNパワーデバイスチーム、次世代パワーエレクトロニクス実用化チーム、の研究内容を更新  (2007.11.12)
・イベント情報に「第2回新エネルギー世界展示会にPERCより出展」を追記 (2007.10.10)
・学会情報を更新 (2007.10.10)
・メンバー表を更新 (2007.5.28)
・国際学会情報を更新 (2007.5.28)
イベント情報 更新履歴
・「第四回ネットワーク社会とエネルギー」は終了しました。(2008.1.17) (2008.1.31)
・第2回新エネルギー世界展示会(於幕張メッセ、2007.10.10-12)に「次世代パワーデバイスの研究開発とその拓く世界」を出展 (2007.10.10)
・「第2回パワーエレクトロニクスのニューウエーブ国際ワークショップ」開催(6/16) (2006.6.1)
TOPICS   更新履歴
当センター大橋副センター長、CPESのデューシャン・ボロイェヴィッチ 氏、ECPEのレオ・ローレンツ氏の鼎談「日米欧に見るパワーエレクトロニクス の新潮流」が雑誌「OHM」10月号に掲載される。 (2007.11.5)
・「SiCの高速エピタキシャル成長技術の開発」を新聞発表 (2007.2.28)
「世界最小の電気抵抗値の大電力用炭化ケイ素(SiC)半導体素子を開発」を新聞発表 (2006.12.14)
・大橋副センター長が米国CPESの「Outreach Workshop on Technology Roadmap Development」で招待講演 (2006.10.6)
・「SiC半導体エピタキシャルウェハ量産化のための産官共同研究開始について新聞発表 (2005.8.25)
・「各種インバータ用途の炭化珪素パワートランジスタで世界最高性能」を新聞発表/ (2005.3.28)
最近の研究成果 更新履歴
・SiCウェハの高速高品位研磨技術を開発 (2006.12.1)
オン抵抗世界最小のパワーMOSFET (2005.6)
・超低電力損失SiC静電誘導型トランジスタの開発に成功 (2005.6)
・シリコンカーバイド横型RESURF MOSFET (2005.2)
・高品質な窒化物半導体薄膜成長法 (2005.2)

最終更新日 2008. 04.21