半導体エレクトロニクスは高度情報社会を支える基盤技術であり、IT機器の高性能化、高機能化、低消費電力化をより一層進めるために新たな半導体技術(ナノエレクトロニクス)の開発が求められています。当研究部門はナノエレクトロニクスの研究開発を加速するために産総研のシリコン系ナノデバイスの研究員と研究資源を結集し、平成23年4月1日に設立されました。
更新の履歴 >>
更新情報
| 2013年4月4日 | 採用情報更新 | 人材募集第三号職員(アシスタント) |
|---|---|---|
| 2013年3月12日 | 採用情報更新 | 人材募集第二号職員(テクニカルスタッフ) |
2013年3月1日 |
更新 | 相転移新機能デバイスグループのHPをアップしました |
| 2013年2月8日 | 採用情報更新 | 人材募集第二号職員(テクニカルスタッフ) |
| 2013年1月29日 | 採用情報更新 | 人材募集 第一号職員(産総研特別研究員)第二号職員(テクニカルスタッフ) |
| 2013年1月28日 | 採用情報更新 | 人材募集 第二号職員(テクニカルスタッフ) |
| 2013年1月24日 | 採用情報更新 | 人材募集 第一号職員(産総研特別研究員) |
| 2013年1月23日 | 更新 | PECST-AIST を 関連サイトに追加しました。 |
| 2013年1月23日 | 採用情報更新 | 人材募集 第二号職員(テクニカルスタッフ) |
| 2013年1月17日 | 採用情報更新 | 人材募集 第一号職員(産総研特別研究員)第二号職員(テクニカルスタッフ) |
| 2013年1月15日 | 採用情報更新 | 人材募集 第一号職員(産総研特別研究員) |
| 2013年1月7日 | 採用情報更新 | 人材募集 第二号職員(テクニカルスタッフ) |
| 2012年12月26日 | 採用情報更新 | 人材募集 第二号職員(テクニカルスタッフ) |
| 2012年12月17日 | 採用情報更新 | 人材募集 第二号職員(テクニカルスタッフ) |
2012年12月4日 |
更新 | 産業技術総合研究所 デバイス計測コンソーシアム TSC(つくば半導体コンソーシアム)主催による 「デバイス計測シンポジウム」を2012/12/7に開催します |
2012年11月22日 |
更新 | エレクトロインフォマティックスグループのHPをアップしました |
| 2012年10月1日 | 採用情報更新 | 人材募集 第二号職員(テクニカルスタッフ) |
2012年9月25日 |
プレスリリース | 「ポリマー上でシリコンの性能を超えるトランジスタを作製」 |
2012年9月25日 |
プレスリリース | 「グラフェンの新しい伝導制御技術を開発」 |
2012年9月25日 |
プレスリリース | 「トンネル電界効果トランジスタの素子動作モデルを開発」 |
2012年9月11日 |
プレスリリース | 「 微細シリコンデバイスのための3次元応力解析シミュレーター」 |
| 2012年9月11日 | 採用情報更新 | 人材募集 第二号職員(テクニカルスタッフ) |
| 2012年8月31日 | 採用情報更新 | 人材募集 第二号職員(テクニカルスタッフ) |
2012年6月11日 |
プレスリリース | 「 高性能ひずみゲルマニウムナノワイヤトランジスタを実現」 |
| 2012年8月28日 | 採用情報更新 | 人材募集 第二号職員(テクニカルスタッフ) |
| 2012年4月1日 | お知らせ | 相転移新機能デバイスグループ、シリコンフォトエレクトロニクスグループが発足。 強誘電メモリグループは新材料・機能インテグレーショングループに統合しました。 |
2011年12月8日 |
プレスリリース | 「14 nm世代立体型トランジスタの特性ばらつきの主要因を解明」 |
2011年11月22日 |
更新 | 新材料・機能インテグレーショングループのHPをアップしました |
2011年10月14日 |
プレスリリース | 「相変化固体メモリーから巨大磁気抵抗効果が出現」 |
| 2011年9月28日 | 受賞 | SSDM 2011 Award 受賞 − 関川敏弘(エレクトロインフォマティックスグループ) |
2011年9月28日 |
プレスリリース | 「高性能な64kb強誘電体NANDフラッシュメモリーアレイを作製」 |
2011年9月27日 |
プレスリリース | 「世界初の高品質ゲルマニウムプラットフォーム基板を実現」 |
2011年9月26日 |
プレスリリース | 「シリコンチップの放熱特性評価技術の開発」 |
| 2011年9月26日 | 受賞 | MES2010ベストペーパー賞 受賞 −3D集積システムグループ |
| 2011年7月4日 | 論文発表 | 「Interfacial phase-change memory」をNature Nanotechnologyに発表 |
| 2011年6月16日 | プレスリリース | 「トランジスタの接合位置をサブナノメートルの精度で制御」 シリコンナノデバイスグループが発表 |
| 2011年6月16日 | プレスリリース | 「世界初の次世代高性能III-V/Ge CMOSトランジスタの実現」 を発表 |
| 2011年5月17日 | 更新 | 研究グループ紹介 |
| 2011年5月9日 | お知らせ | Webページ開設 |
| 2011年4月1日 | プレスリリース | 「平成23年度 研究推進組織の新設と再編について」 |
| 2011年4月1日 | お知らせ | ナノエレクトロニクス研究部門設立 |
連絡先
独立行政法人 産業技術総合研究所 ナノエレクトロニクス研究部門
〒305-8568 茨城県つくば市梅園1-1-1 つくば中央第2
電話:029-861-3483 FAX:029-861-5088 Eメール:![]()
