産総研 - ナノエレクトロニクス研究部門

　半導体エレクトロニクスは高度情報社会を支える基盤技術であり、IT機器の高性能化、高機能化、低消費電力化をより一層進めるために新たな半導体技術（ナノエレクトロニクス）の開発が求められています。当研究部門はナノエレクトロニクスの研究開発を加速するために産総研のシリコン系ナノデバイスの研究員と研究資源を結集し、平成23年4月1日に設立されました。

更新の履歴 >>

更新情報

2013年4月4日	採用情報更新	人材募集第三号職員（アシスタント）
2013年3月12日	採用情報更新	人材募集第二号職員（テクニカルスタッフ）
2013年3月1日	更新	相転移新機能デバイスグループのHPをアップしました
2013年2月8日	採用情報更新	人材募集第二号職員（テクニカルスタッフ）
2013年1月29日	採用情報更新	人材募集　第一号職員（産総研特別研究員）第二号職員（テクニカルスタッフ）
2013年1月28日	採用情報更新	人材募集　第二号職員（テクニカルスタッフ）
2013年1月24日	採用情報更新	人材募集　第一号職員（産総研特別研究員）
2013年1月23日	更新	PECST-AIST を関連サイトに追加しました。
2013年1月23日	採用情報更新	人材募集　第二号職員（テクニカルスタッフ）
2013年1月17日	採用情報更新	人材募集　第一号職員（産総研特別研究員）第二号職員（テクニカルスタッフ）
2013年1月15日	採用情報更新	人材募集　第一号職員（産総研特別研究員）
2013年1月7日	採用情報更新	人材募集　第二号職員（テクニカルスタッフ）
2012年12月26日	採用情報更新	人材募集　第二号職員（テクニカルスタッフ）
2012年12月17日	採用情報更新	人材募集　第二号職員（テクニカルスタッフ）
2012年12月4日	更新	産業技術総合研究所　デバイス計測コンソーシアム TSC(つくば半導体コンソーシアム）主催による「デバイス計測シンポジウム」を2012/12/7に開催します
2012年11月22日	更新	エレクトロインフォマティックスグループのHPをアップしました
2012年10月1日	採用情報更新	人材募集　第二号職員（テクニカルスタッフ）
2012年9月25日	プレスリリース	「ポリマー上でシリコンの性能を超えるトランジスタを作製」
2012年9月25日	プレスリリース	「グラフェンの新しい伝導制御技術を開発」
2012年9月25日	プレスリリース	「トンネル電界効果トランジスタの素子動作モデルを開発」
2012年9月11日	プレスリリース	「微細シリコンデバイスのための3次元応力解析シミュレーター」
2012年9月11日	採用情報更新	人材募集　第二号職員（テクニカルスタッフ）
2012年8月31日	採用情報更新	人材募集　第二号職員（テクニカルスタッフ）
2012年6月11日	プレスリリース	「高性能ひずみゲルマニウムナノワイヤトランジスタを実現」
2012年8月28日	採用情報更新	人材募集　第二号職員（テクニカルスタッフ）
2012年4月1日	お知らせ	相転移新機能デバイスグループ、シリコンフォトエレクトロニクスグループが発足。強誘電メモリグループは新材料・機能インテグレーショングループに統合しました。
2011年12月8日	プレスリリース	「14 nm世代立体型トランジスタの特性ばらつきの主要因を解明」
2011年11月22日	更新	新材料・機能インテグレーショングループのHPをアップしました
2011年10月14日	プレスリリース	「相変化固体メモリーから巨大磁気抵抗効果が出現」
2011年9月28日	受賞	SSDM 2011　Award　受賞－　関川敏弘（エレクトロインフォマティックスグループ）
2011年9月28日	プレスリリース	「高性能な64kb強誘電体NANDフラッシュメモリーアレイを作製」
2011年9月27日	プレスリリース	「世界初の高品質ゲルマニウムプラットフォーム基板を実現」
2011年9月26日	プレスリリース	「シリコンチップの放熱特性評価技術の開発」
2011年9月26日	受賞	MES2010ベストペーパー賞　受賞－３D集積システムグループ
2011年7月4日	論文発表	「Interfacial phase-change memory」をNature Nanotechnologyに発表
2011年6月16日	プレスリリース	「トランジスタの接合位置をサブナノメートルの精度で制御」シリコンナノデバイスグループが発表
2011年6月16日	プレスリリース	「世界初の次世代高性能III-V/Ge CMOSトランジスタの実現」を発表
2011年5月17日	更新	研究グループ紹介
2011年5月9日	お知らせ	Webページ開設
2011年4月1日	プレスリリース	「平成23年度研究推進組織の新設と再編について」
2011年4月1日	お知らせ	ナノエレクトロニクス研究部門設立

連絡先

独立行政法人産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門

〒305-8568 茨城県つくば市梅園1-1-1 つくば中央第2
電話：029-861-3483 FAX：029-861-5088 Eメール：